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huihoudubo铁虫 (正式写手)
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[求助]
跪求IV伏安特性曲线随着温度变化，势垒高度的变化
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如题：我测里一个结的IV伏安特性曲线随着温度变化，从图中我们怎么知道其势垒高度随着温度的变化是减小还是升高，其依据是什么？！另外，正常的IV曲线是向下凹的，而我的是向上凸起的，初步判定是隧穿机理，不知道是否正确，请高手指点！多谢!!急求！！！急求！！！ IV.png |
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huihoudubo
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0.5mm的本证i-Si衬底上长了100nm的Mn0.4Si0.6非晶薄膜（i-Si长膜前带有自然氧化的SiO2，大约2nm）。结的测量如图所示。我邮箱：yangac_@126.com QQ:253914407。多谢！  IV.png |
4楼2015-07-29 09:25:40
ilmondo
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【答案】应助回帖
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huihoudubo: 金币+10, 博学EPI+1, ★★★★★最佳答案, 学习了！高手高手，谢谢！我说是隧穿只是感觉我的IV曲线趋势和施敏的《半导体器件物理》的334页的IV趋势相同。您说的不是隧穿的依据，负微分区？隧穿应该是什么样的IV?反向IV不是少了一条，而是和其它温度重合了？非常感谢你的指导，能加我QQ聊一下吗？253914407 2015-07-28 08:36:31
huihoudubo: 金币+10, 博学EPI+1, ★★★★★最佳答案, 学习了！高手高手，谢谢！我说是隧穿只是感觉我的IV曲线趋势和施敏的《半导体器件物理》的334页的IV趋势相同。您说的不是隧穿的依据，负微分区？隧穿应该是什么样的IV?反向IV不是少了一条，而是和其它温度重合了？非常感谢你的指导，能加我QQ聊一下吗？253914407 2015-07-28 08:36:31
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趁高手还没来，抛个砖先。 减小，因为加同样的电压得到更大的电流。 向上凹说明这是一个不好的diode。 没看到负微分电阻区啊，怎么说是隧穿呢？ 为什么你加反向偏压的IV曲线少了几条？ |
2楼2015-07-28 04:16:51
ilmondo
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3楼2015-07-29 04:46:42