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Comsol仿真类MIS 太阳能电池如何定义绝缘层的问题
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跪求各位大神！本人想仿真类似MIS 太阳能电池结构，从上到下依次是类金属-SiO2-Si-SiO2-背电极，现在不清楚如何定义SiO2。 我对COMSOL懂得不多，只知道里面有三种定义绝缘层的方法： Insulation是定义理想绝缘层的，无电流穿过，显然不能用于太阳能电池； Insulator gate似乎是用在transistor上面； 还有insulator interface是用于charge conversion （比如电容）和semiconductor material之间的；本来以为insulator interface可以应用，系统自定义隧穿公式等，后来加了边界调节后发现所有boundary都是inapplicable（不适用），不知道该如何定义SiO2层. 跪求各位大牛帮助！不胜感激！（不好意思啦本人用的是英文版的，所以中英夹杂害怕翻译不好引起歧义，希望不要介意，求助求助救命救命/(ㄒoㄒ)/）........ |
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