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Comsol仿真类MIS 太阳能电池如何定义绝缘层的问题
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跪求各位大神!本人想仿真类似MIS 太阳能电池结构,从上到下依次是类金属-SiO2-Si-SiO2-背电极,现在不清楚如何定义SiO2。 我对COMSOL懂得不多,只知道里面有三种定义绝缘层的方法: Insulation是定义理想绝缘层的,无电流穿过,显然不能用于太阳能电池; Insulator gate似乎是用在transistor上面; 还有insulator interface是用于charge conversion (比如电容)和semiconductor material之间的;本来以为insulator interface可以应用,系统自定义隧穿公式等,后来加了边界调节后发现所有boundary都是inapplicable(不适用),不知道该如何定义SiO2层. 跪求各位大牛帮助!不胜感激!(不好意思啦本人用的是英文版的,所以中英夹杂害怕翻译不好引起歧义,希望不要介意,求助求助救命救命/(ㄒoㄒ)/)........ |
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