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如何画图求光学带隙及区分直接和间接跃迁 已有4人参与
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如题，本人检索这方面问题，发现小木虫好友有部分解释，如下： 方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。 方法2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。 方法3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。 方法4：利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用[F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 我的问题 1）方法一中，我纵坐标为吸光度Abs，为何横坐标分别为能量hv和波长nm的结果是不一样的，有的差别比较大？ 2）此外，第二和第三种方法需要知道是直接还是间接跃迁，如何区分和确定呢？我材料有点复杂！ 3）这两个方法纵坐标我是否可以直接用仪器得到的吸光度与横坐标求算出的能量值相乘（origin中求两列数据相乘的结果），再进行开方或平方得到纵坐标，是否可以？就是不管2.303和d值，我发现倍数对画线找截距没有影响，但平方还是开方影响很大。单位就应该由ev/cm的平方或开方换成ev的平方或开方？ 4）如果方法一可以，是否结果应该与方法二和三结果一致？ 5）(αhν)2 应该是直接跃迁？(αhν)0.5应该对应间接跃迁？ |
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