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请问非晶硅是直接带隙吗？
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最近查资料发现有人说非晶硅是直接带隙（百度词条里也说非晶硅是一种直接能带半导体），但是疑问就来了，为什么是直接带隙，但文献里光学能隙所用的都是这个tauc公式：(hav)1/2=k(hv-Eg)？？？ 这个不是间接带隙的拟合方式吗？ 求大家热心解答呢 |
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