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jinlujie

新虫 (正式写手)

[求助] 请问非晶硅是直接带隙吗？

最近查资料发现有人说非晶硅是直接带隙（百度词条里也说非晶硅是一种直接能带半导体），但是疑问就来了，为什么是直接带隙，但文献里光学能隙所用的都是这个tauc公式：(hav)1/2=k(hv-Eg)？？？


这个不是间接带隙的拟合方式吗？
求大家热心解答呢
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1楼 2015-07-20 09:00:24
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jinlujie

新虫 (正式写手)
引用回帖:
12楼: Originally posted by qfw_68 at 2015-07-22 12:00:10
非晶硅带隙定义复杂，大家比较喜欢使用Tauc公式定义非晶硅的带隙，称之为Tauc带隙（间接带隙；可参考：Tauc, J. (1968). "Optical properties and electronic structure of amorphous Ge and Si". Materi ...

你好，请问你截图的这个文章你能给个全文吗？真的特别感谢你啦！
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16楼2015-07-22 18:09:42
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查看全部 17 个回答

qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

多晶硅是直接带隙，楼主所说的文献引错了公式。
正确的应该是这样：
https://www.docin.com/p-485591016.html
赞一下 回复此楼
没有困难创造困难也要上网。
2楼2015-07-20 14:18:00
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zhao1996

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

n= 2  0.5的公式都有啊，n=2 for a direct transition or 1/2 for an indirect transition. 非晶硅是一种直接能带半导体,
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我要让全世界知道，我很低调--兆1996
3楼2015-07-20 14:56:26
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jinlujie

新虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by qfw_68 at 2015-07-20 14:18:00
多晶硅是直接带隙，楼主所说的文献引错了公式。
正确的应该是这样：
https://www.docin.com/p-485591016.html

谢谢您的热心解答，这篇文献我看过，我觉得这篇文献比较片面呢，我查过很多文献，多晶硅应该是间接带隙
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4楼2015-07-21 11:33:36
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