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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 光电池和光电化学 » 单晶硅电极的封装问题以及暗电流 IV 问题
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H2SO4LIUSHAN

金虫 (小有名气)

[求助] 单晶硅电极的封装问题以及暗电流 IV 问题 已有2人参与

小妹研究电极三个月了 要不漏电 要不电流低 到底怎么办 唉 我想请问我做的
1 P型硅（100）5mm 电阻1-10，暗电流一般都是很平，我想知道多大的电压才能暗电流起来？我这样看不出来漏不漏电
2 光电流 起始电位和文献匹配，但是电流实在太小，是因为背接触电阻太大还是表面阻力大？是因为没有使用因镓合金吗？表面必须用刻蚀液刻蚀吗？我只用氢氟酸 不行是吗？
3 能不能给我一份电极封装的具体处理工艺方法 谢谢
4 还有n型 硅 电阻0-1 的暗电流做阳极 暗电流大约怎么样
有资料可以发邮件联系我 liushanshan0614@163.com

单晶硅电极的封装问题以及暗电流 IV 问题
1.png
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我要我的青春不留遗憾
1楼 2015-07-11 08:50:57
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wsl8567

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

附图是你自己测试的数据对比文献上的？ 我看你的数据是正常的啊
与文献相比，相同负偏压下，你的光电流比文献上要小，可能是背电极接触电阻的影响。另外，与你所用硅片的电阻率关系很大，文献上的与你所用是一样的？
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2楼2015-08-21 11:34:29
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逝水aa

木虫 (著名写手)
你好，请教一下，暗电流i-v曲线也能看出漏电流吗？我所知道的是有I-V曲线求出并联电阻后根据并联电阻的大小可以看出是否漏电流
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努力吧
3楼2015-10-23 15:42:14
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逝水aa

木虫 (著名写手)
暗电流包括反向饱和电流，薄层漏电流和体漏电流，这个具体从暗特性的I-V图上怎么区分的，暗电流的值是怎么看的，对应到电压是哪个位置啊？谢谢
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努力吧
4楼2015-10-23 16:17:18
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H2SO4LIUSHAN

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 逝水aa at 2015-10-23 15:42:14
你好，请教一下，暗电流i-v曲线也能看出漏电流吗？我所知道的是有I-V曲线求出并联电阻后根据并联电阻的大小可以看出是否漏电流

一般暗电流不会很大 如果很大 或者和光电流差不多 就是漏电
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我要我的青春不留遗憾
5楼2016-02-26 18:46:00
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H2SO4LIUSHAN

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wsl8567 at 2015-08-21 11:34:29
附图是你自己测试的数据对比文献上的？ 我看你的数据是正常的啊
与文献相比，相同负偏压下，你的光电流比文献上要小，可能是背电极接触电阻的影响。另外，与你所用硅片的电阻率关系很大，文献上的与你所用是一样的 ...

谢谢 问题后来解决了，主要是背接触的问题 谢谢
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我要我的青春不留遗憾
6楼2016-02-26 18:46:34
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maomei2017

新虫 (小有名气)
您好，我想问一下，背接触需要注意什么呢。我用的也是镓铟合金，再涂一层银胶。

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7楼2018-05-17 20:09:18
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飞鸿00

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

您好！我想请问下我现在用硅片做制氢实验，扫lsv时电流密度（小于1）和文献(几十mA/cm2)差别特别大，数量级上的差别；而且光照与不光照差别不大，这是怎么回事呀。很是困惑不知道哪里出了问题。谢谢
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8楼2018-05-24 16:02:37
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飞鸿00

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by H2SO4LIUSHAN at 2016-02-26 18:46:34
谢谢 问题后来解决了，主要是背接触的问题 谢谢...

您好，我想请教下如何解决硅电极的背接触问题啊，谢谢
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9楼2018-06-22 15:26:17
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