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寰宇咸平

至尊木虫 (文坛精英)

[交流] 荧光与光催化性能关系

想请教各位光催化领域的虫友，在光催化领域里，一般认为改性后，如果荧光强度降低，则说明光电子空穴对的复合几率降低，有利于促进光催化性能，有没有可能改性后虽然光催化性能提高了，但荧光强度也增强的情况呢？如果有，能提供相关文献证明吗？请知悉者不吝赐教
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1楼 2015-07-05 18:17:22
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轻轻松松就好

木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
有这个说法的。刘岗老师最近一篇CC中就有提到，他做的是CdS@SiO2，其中的PL峰就比空白的CdS的要高，他给出的解释是CdS包裹之后产生了缺陷态，正是这个缺陷态使得光催化活性提高，同时由于有缺陷态的存在使得PL峰得到明显的提高。
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2楼2015-07-05 23:02:13
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stl409
3楼2015-07-05 23:48:48
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