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yetiannan

木虫 (正式写手)

[求助] CVD包碳使用的碳源气体可否为混合气 已有1人参与

求教: 本人想用CVD方法在粉体材料表面包碳,由于实验室的安全问题,现在碳源气体不能选择纯的C2H2,请问能否将C2H2与N2混合使用作为碳源气,如果可行,那么二者的比例该如何选择,有懂的大神们请不吝赐教,谢谢大家!
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无欲则刚
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杨建军205

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
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yetiannan: 金币+10 2015-07-17 11:07:30
化学气相沉积使用C2H2+Ar混合气,一般情况下都是安全的,因为真空室中是负压,而且没有氧气,不会有燃烧或者爆炸危险。为何不能选择纯的C2H2,如果使用C2H2与N2混合气体,不一定能够沉积碳膜,有可能包的是C3N4,不知道会不会影响你的使用。

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2楼2015-07-03 21:21:33
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yetiannan

木虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 杨建军205 at 2015-07-03 21:21:33
化学气相沉积使用C2H2+Ar混合气,一般情况下都是安全的,因为真空室中是负压,而且没有氧气,不会有燃烧或者爆炸危险。为何不能选择纯的C2H2,如果使用C2H2与N2混合气体,不一定能够沉积碳膜,有可能包的是C3N4,不 ...

谢谢您的回复,我之前没有做过CVD,所以还想请教下您,真空室在CVD前是需要抽到负压,然后通入混合气,炉管内压力逐渐增大,直至炉内气压达到一个大气压,这个时候尾气就可以开始往外排了,我想问问CVD的过程是不是在常压下完成的?
无欲则刚
3楼2015-07-04 14:23:25
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杨建军205

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yetiannan at 2015-07-04 14:23:25
谢谢您的回复,我之前没有做过CVD,所以还想请教下您,真空室在CVD前是需要抽到负压,然后通入混合气,炉管内压力逐渐增大,直至炉内气压达到一个大气压,这个时候尾气就可以开始往外排了,我想问问CVD的过程是不是 ...

CVD一般是在真空负压下完成的,真空室末端是有泵抽气系统(机械泵+分子泵等等)实现一个洁净的环境,并且化学气相沉积也是在负压下完成的(0.1pa到几十pa,比一个大气压小得多,一般都是这种低压CVD,当然你想要用的是不是常压或者高于CVD?那么其反应的速率就要严格控制了。)有常压CVD,具体了解多查资料吧。
4楼2015-07-05 09:04:11
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