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请教大神关于阳离子Dendrimer在SiO2表面吸附的问题 已有1人参与
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最近在做阳离子Dendrimer在SiO2界面的吸附，所用的仪器是QCM(石英晶体微天平），样品是一种多支化的类似CTAB的Dendrimer（阳离子为季铵离子，反离子为溴离子），Dendrimer的代数有一代、二代、三代的。 在考察离子强度对Dendrimer吸附行为的影响时（加入的无机盐为溴化钠），发现溴化钠对1代、2代、3代Dendrimer有着不同的影响。对于1代和3代Dendrimer，吸附量相比于没加盐时显著增加，吸附速率明显加快，这和我所看的文献中所讲的是一致的。但是对于2代Dendrimer，加盐以后吸附速率变得特别慢，吸附量在很长时间的吸附时（比如30个小时），吸附量变得特别大，这是什么原因造成的？ 在做吸附等温线时，浓度超过cmc时，吸附量反而会相比于小浓度时减少很多，只是达到吸附平衡特别快，这是为什么？ 哪位大神帮忙解答一下，小弟不胜感激！ |
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【答案】应助回帖
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同学你好，从你文字提供的信息不是很多，文献中是不是已经证实了一到三代Dendrimer对盐离子浓度都有较大反应？如果都有的话，我建议还是重复下实验比较好，也许二代的实验哪个地方疏忽了。 从实验仪器的角度，是不是由于SiO2芯片没有清洗干净，导致后续实验的Dendrimer不能有效吸附。另外实验如接入蠕动泵的话，请检查蠕动泵气密性。因为蠕动泵的气密性变差的话，溶液则不能有效进入样品池。虽然从表面看上去实验仍旧在进行，可是溶液则是以及其缓慢的或者静止的状态在芯片表面，这样就会导致样品吸附变差。 希望上述文字对你有帮助！ |
2楼2015-06-25 10:05:03