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arkforever铜虫 (初入文坛)
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这个章节是摘自关于硅材料的哪本书（中文）？
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“第七章 硅中的缺陷 本章讨论原生长硅单晶和器件工艺中的硅片中最重要的一些缺陷，包括它们的本质、几何分布、形成的机理、它们之间的相互作用和关系等等。关于氧沉淀方面的内容放在第八章中讨论。要成功地制造有效的硅器件必须在硅片的有效工作区内消除晶体缺陷。随着集成电路技术的集成度越来越高，器件制造工艺变得越来越复杂，增加了在硅片中引入缺陷的机会。除非我们对这些缺陷的本质和形成机理有了了解，否则它们会不确定地发生，从而影响所制成的器件的性能。基于这一基本目的，对硅片中缺陷的了解必须最终与它们对器件电性能的影响相联系。” “7．1 硅中缺陷的特点 由于点缺陷无论在硅中的原生缺陷还是在工艺诱生缺陷的形成过程中都起着十分重要的作用，在讨论两类缺陷以前有必要先讨论硅中的点缺陷的基本性质；同时，也讨论一下作为具有金刚石类型晶体结构的硅单晶中的位错和层错等缺陷所具有的一些特点。 7．1．1 硅中的点缺陷 硅中的点缺陷包括空位和自间隙原子以及杂质原子。晶体中两种基本的点缺陷是空位和自间隙原子。空位是缺少一个原子的晶格位置，自间隙原子是在晶体中位于除了晶格位置以外的任何位置的组成晶体基本成分的原子。由于晶格位置上的原子的热运动，只要温度不是在绝对温度零度，晶体中就都含有空位和自间隙原子，因此空位和自间隙原子被称为热点缺陷。由于能量的缘故，在一定的温度下只有一定数目的这样的缺少一个原子的晶格位置，也只有一定数目的这样的可以容纳间隙原子的偏离晶格的位置，也就是说，一定温度下的空位和自间隙原子的平衡浓度是确定的。” 以上是节选，这是我从百度文库上找到的word文档觉得很有帮助，但不知道原书是什么，有没有人看过这本书的？ |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 第七章__硅中的缺陷.doc
2015-06-24 11:14:33, 3.19 M
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