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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 复合材料 » 交流互助 » 【求助】关于新合成的复合材料的介电性能与磁性能的解释 [有效期至2008年8月31号]
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hongtaozhao

木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于新合成的复合材料的介电性能与磁性能的解释 [有效期至2008年8月31号]

我现在做了这么个实验：我在陶瓷SiO2(2微米直径)球的表面部分沉积上了纳米镍(100nm)颗粒，结果整个材料的介电常数有所下降，而磁导率增加了，不知道怎么解释合理？象我这种材料 的介电常数取决于什么？

[ Last edited by SHY31 on 2008-7-29 at 22:23 ]
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1楼 2008-07-28 22:06:11
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baibing

金虫 (正式写手)
★
SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流
磁导率的增加，是显而易见的，因为Ni是磁性原子嘛。

介电常数的下降也是可以理解的。 SiO2是绝缘电介质，你在它表面沉寂导电的Ni, 根据介电行数的测量C=Q/U, 测试介电常数的时候，你所加的小的电信号U是不变的（安杰轮的4194A一般默认的是1V). 而电容器两端的Q却部分的漏掉了（由于Ni的导电连通的原因），这样，你得到的介电常数自然下降呀。
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2楼2008-07-29 16:03:52
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hongtaozhao

木虫 (小有名气)
如果这种材料是用在吸收电磁波上，介电常数的下降有什么意义？是起什么作用，是增加电磁波的吸收还是减弱？
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3楼2008-07-29 22:20:53
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fhl02

木虫 (正式写手)
介电损耗与介电参数的虚部相关。是否还有磁损耗机制？
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4楼2008-07-31 14:44:17
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fhl02

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by baibing at 2008-7-29 16:03:
磁导率的增加，是显而易见的，因为Ni是磁性原子嘛。

介电常数的下降也是可以理解的。 SiO2是绝缘电介质，你在它表面沉寂导电的Ni, 根据介电行数的测量C=Q/U, 测试介电常数的时候，你所加的小的电信号U是不变的 ...

对介电参数的解释似乎不合理！
按照解释是否导电物质的介电常数小于绝缘体？
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5楼2008-08-06 11:22:56
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hongtaozhao

木虫 (小有名气)
同问？
对介电参数的解释似乎不合理！
按照解释是否导电物质的介电常数小于绝缘体？
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6楼2008-09-16 22:40:47
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