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PVK与PVA用来表面修饰ZnO紫外探测器区别
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在一篇文献《A nanocomposite ultraviolet photodetector based on interfacial trap-controlled charge injection》上看到用PVK和TPD-Si2复合物作空穴传输层，利用到TPD-Si2的高的hole-transport capalities 和PVK的electron-blocking capability。在另一篇文献《Effect of Surface Capping with Poly(vinylalcohol) on the Photocarrier Relaxation ofZnO Nanowires》上用到PVA修饰表面，光电流增大，器件失效慢。但并没有解释原因。这里PVA与PVK的作用一样吗？这两种物质有什么区别呢？在用于紫外光探测的时候，从能带结构图上看，哪一个更有利呢？目前紫外光探测有哪些问题还需要解决呢？求大神们指点上述问题 |
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