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hondgen

铜虫 (初入文坛)

[求助] 标准CMOS工艺各个区的掺杂浓度分别是多少

在标准N阱CMOS工艺中衬底、阱区,n有源区、p有源区的掺杂浓度分别是多少?不同制程的会有不同吗,比如0.13um和0.35um的大概是多少?想知道NMOS和PMOS的漏、栅、源及衬底的掺杂浓度。该在哪里查,在pdk里面没有看到。谢谢!
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