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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题
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tcheng92

金虫 (小有名气)

[求助] 关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题 已有1人参与

我在使用VASP+PHONON计算SiC衬底上存在单层石墨烯形成Bufferlayer的声子谱时，计算中采用的4层C-Si双层，其中SiC末端采用H饱和，所以计算的声子谱在3000cm-1处有曲线，计算结果如附图。与之前文献中结果有很大差别，但是我的构型优化也没什么问题，能带和DOS的计算结果和文献中符合的很好。
       我想问一下会不会是SiC的层数在计算声子谱的时候对结果会产生很大影响，如果减少层数又没有帮助，因为我看那篇文献中用的是两层C-Si双层。关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题
SiC+Graphene声子谱结算结果.jpg


关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题-1
BUFFER_bands.JPG
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1楼 2015-05-07 19:28:38
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chkxuan

金虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by tcheng92 at 2015-05-22 07:52:20
那这个程序不知道又没有模板或者思路呢...

你得按照你自己的体系编程序，主要是考虑原子顺序对应的力常数顺序，最好一开始把原子按照层排好顺序再进行计算

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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风筝
10楼2015-05-22 12:42:24
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chkxuan

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
franch: 金币+3, 谢谢回帖交流。。。。 2015-05-12 09:42:01
之前的研究，看看对你有没有帮助
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风筝
2楼2015-05-09 13:50:36
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tcheng92

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by chkxuan at 2015-05-09 13:50:36
之前的研究，看看对你有没有帮助

您好，感谢你的回复，我看了您的文章，有个问题想问下，那个suspended graphene是单层石墨烯结构么，怎么声子谱里面有这么多模式？
还有我那个加上衬底算出来的声子谱原子比较多，所以算出来的谱图在低频区会很乱，您这个算出来怎么又很简洁，是因为软件不同么？
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3楼2015-05-11 09:51:11
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chkxuan

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
franch: 金币+3, 谢谢回帖交流。。。。 2015-05-12 09:42:09
引用回帖:
3楼: Originally posted by tcheng92 at 2015-05-11 09:51:11
您好，感谢你的回复，我看了您的文章，有个问题想问下，那个suspended graphene是单层石墨烯结构么，怎么声子谱里面有这么多模式？
还有我那个加上衬底算出来的声子谱原子比较多，所以算出来的谱图在低频区 ...

文章中的石墨烯声子谱不是单胞的声子谱，是2*2超胞的声子谱（因为后期使用的是NEGF方法），所以声子模式比较多。加上衬底进行声子计算之后，我是将体系中石墨烯相关的力常数矩阵单独提取出来画出声子谱，也就是说，衬底对石墨烯的影响是体现在声子谱的改变上。
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风筝
4楼2015-05-11 18:13:48
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