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tcheng92金虫 (小有名气)
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关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题 已有1人参与
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我在使用VASP+PHONON计算SiC衬底上存在单层石墨烯形成Bufferlayer的声子谱时，计算中采用的4层C-Si双层，其中SiC末端采用H饱和，所以计算的声子谱在3000cm-1处有曲线，计算结果如附图。与之前文献中结果有很大差别，但是我的构型优化也没什么问题，能带和DOS的计算结果和文献中符合的很好。 我想问一下会不会是SiC的层数在计算声子谱的时候对结果会产生很大影响，如果减少层数又没有帮助，因为我看那篇文献中用的是两层C-Si双层。  SiC+Graphene声子谱结算结果.jpg  BUFFER_bands.JPG |
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2015-05-07 19:28:28, 1.88 M
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chkxuan
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10楼2015-05-22 12:42:24
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franch: 金币+3, 谢谢回帖交流。。。。 2015-05-12 09:42:01
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2015-05-09 13:49:49, 1.57 M
2楼2015-05-09 13:50:36
tcheng92
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您好，感谢你的回复，我看了您的文章，有个问题想问下，那个suspended graphene是单层石墨烯结构么，怎么声子谱里面有这么多模式？3楼2015-05-11 09:51:11
chkxuan
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