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tcheng92

金虫 (小有名气)

[求助] 关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题 已有1人参与

我在使用VASP+PHONON计算SiC衬底上存在单层石墨烯形成Bufferlayer的声子谱时,计算中采用的4层C-Si双层,其中SiC末端采用H饱和,所以计算的声子谱在3000cm-1处有曲线,计算结果如附图。与之前文献中结果有很大差别,但是我的构型优化也没什么问题,能带和DOS的计算结果和文献中符合的很好。
       我想问一下会不会是SiC的层数在计算声子谱的时候对结果会产生很大影响,如果减少层数又没有帮助,因为我看那篇文献中用的是两层C-Si双层。关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题
SiC+Graphene声子谱结算结果.jpg


关于SiC上单层石墨烯形成buffer layer的声子谱的计算问题-1
BUFFER_bands.JPG
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六六七.

新虫 (初入文坛)

你好,请问你是一开始是怎么进行建模的啊。就是在SIC衬底上加上石墨烯,你是怎么操作的
13楼2018-07-31 20:24:41
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