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xing2013

金虫 (初入文坛)

[交流] n型硅衬底仿真影响 SDD

最近在做以n型硅做衬底的SDD仿真，但做出来漏电流与理论有几个数量级的差别，不知道是什么地方错了，器件结构应该没有错，不知道是不是衬底的问题？然后谁能说说影响n型硅体内漏电流的影响因素？
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1楼 2015-04-19 08:48:29
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cxjzly20082楼
2015-04-19 08:54   回复  
xing2013(金币+1): 谢谢参与
messengermu3楼
2015-04-19 09:01   回复  
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3465858904楼
2015-04-19 09:03   回复  
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shenrenren5楼
2015-04-19 09:05   回复  
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阿Q~~6楼
2015-04-19 09:12   回复  
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shcj7楼
2015-04-19 09:13   回复  
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springsunyj8楼
2015-04-19 09:20   回复  
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石头阿呆9楼
2015-04-19 09:22   回复  
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..
假大空10楼
2015-04-19 09:42   回复  
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mtw92211楼
2015-04-19 09:43   回复  
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neu23412楼
2015-04-19 09:48   回复  
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lilyshuoxu13楼
2015-04-19 09:51   回复  
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zgrmws14楼
2015-04-19 10:05   回复  
xing2013(金币+1): 谢谢参与
祝福 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
buctdyb15楼
2015-04-19 10:09   回复  
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sz_kebaoyuan16楼
2015-04-19 10:10   回复  
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tingting198217楼
2015-04-19 10:13   回复  
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小木鸭18楼
2015-04-19 10:17   回复  
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怕哦哦哦19楼
2015-04-19 10:19   回复  
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馨香舞20楼
2015-04-19 10:32   回复  
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， [ 发自小木虫客户端 ]
1508279445621楼
2015-04-19 10:42   回复  
xing2013(金币+1): 谢谢参与
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