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w花满楼w

木虫 (小有名气)


[交流] nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导

如题,基于拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》这本书,nmos管小信号模型,涉及到的跨导、增益的公式推导方法。
以及,从源端和漏断看进去的输出电阻公式推导,谢谢!
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阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)


路过的看了一下,帮顶,祝福好运!~~~~~~~~~~~~~~~~~~
18楼2015-04-13 16:36:23
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假大空

木虫之王 (文学泰斗)


--------------
14楼2015-04-13 15:48:00
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nizhou

新虫 (初入文坛)



w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
看看nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导
22楼2018-11-17 22:33:27
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stddddddd

银虫 (小有名气)



w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
gm 是为了表征mos管gate 电压对其drain current的影响。其主要的三个公式:
1)gm=2*id/(vgs-vth); 2) gm = sqrt (2*mu*cox w/l * id);3)gm=mu*cox*w/l*(vgs-vth)
第一个公式表示,当drain current 固定,gm跟gate 电压成反比。
第二个公式表示,当尺寸固定,gm跟id有个sqrt proportion 的关系。
第三个公式表示,当尺寸一定,gm跟gate 电压成正比。

以上是在saturation region。

如果是在triode region, gm = mu*Cox*W/L*VDS. 其中的VDS是voltage difference between drain and source.
24楼2018-12-18 03:09:43
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2015-04-13 15:10   回复  
w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
guyued3楼
2015-04-13 15:28   回复  
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dmbb4楼
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ylheping6楼
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