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[交流]
nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导
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如题，基于拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》这本书，nmos管小信号模型，涉及到的跨导、增益的公式推导方法。 以及，从源端和漏断看进去的输出电阻公式推导，谢谢！ |
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18楼2015-04-13 16:36:23
14楼2015-04-13 15:48:00
22楼2018-11-17 22:33:27
★
w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
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gm 是为了表征mos管gate 电压对其drain current的影响。其主要的三个公式： 1）gm=2*id/(vgs-vth); 2) gm = sqrt (2*mu*cox w/l * id)；3）gm=mu*cox*w/l*(vgs-vth) 第一个公式表示，当drain current 固定，gm跟gate 电压成反比。 第二个公式表示，当尺寸固定，gm跟id有个sqrt proportion 的关系。 第三个公式表示，当尺寸一定，gm跟gate 电压成正比。 以上是在saturation region。 如果是在triode region, gm = mu*Cox*W/L*VDS. 其中的VDS是voltage difference between drain and source. |
24楼2018-12-18 03:09:43
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2015-04-13 15:10
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w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
guyued3楼
2015-04-13 15:28
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dmbb4楼
2015-04-13 15:29
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2015-04-13 15:29
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ylheping6楼
2015-04-13 15:31
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kinple7楼
2015-04-13 15:32
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hydzp8楼
2015-04-13 15:33
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shcj9楼
2015-04-13 15:33
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gaoshuyun1710楼
2015-04-13 15:34
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xueliw11楼
2015-04-13 15:34
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sulin1098112楼
2015-04-13 15:34
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183王山山13楼
2015-04-13 15:36
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