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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导
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w花满楼w

木虫 (小有名气)

[交流] nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导

如题，基于拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》这本书，nmos管小信号模型，涉及到的跨导、增益的公式推导方法。
以及，从源端和漏断看进去的输出电阻公式推导，谢谢！
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1楼 2015-04-13 15:04:17
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阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)
路过的看了一下，帮顶，祝福好运！~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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18楼2015-04-13 16:36:23
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假大空

木虫之王 (文学泰斗)
--------------
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14楼2015-04-13 15:48:00
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nizhou

新虫 (初入文坛)
★
w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
看看nmos小信号模型跨导、增益、输出电阻的推导
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22楼2018-11-17 22:33:27
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stddddddd

银虫 (小有名气)
★
w花满楼w(金币+1): 谢谢参与
gm 是为了表征mos管gate 电压对其drain current的影响。其主要的三个公式：
1）gm=2*id/(vgs-vth); 2) gm = sqrt (2*mu*cox w/l * id)；3）gm=mu*cox*w/l*(vgs-vth)
第一个公式表示，当drain current 固定，gm跟gate 电压成反比。
第二个公式表示，当尺寸固定，gm跟id有个sqrt proportion 的关系。
第三个公式表示，当尺寸一定，gm跟gate 电压成正比。

以上是在saturation region。

如果是在triode region, gm = mu*Cox*W/L*VDS. 其中的VDS是voltage difference between drain and source.
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24楼2018-12-18 03:09:43
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cxjzly20082楼
2015-04-13 15:10   回复  
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guyued3楼
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dmbb4楼
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ylheping6楼
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kinple7楼
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hydzp8楼
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shcj9楼
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gaoshuyun1710楼
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xueliw11楼
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sulin1098112楼
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