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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 关于集成电路芯片barrier layer的探讨
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May-wm

木虫 (正式写手)

[交流] 关于集成电路芯片barrier layer的探讨

请问凹槽底部这层barrier layer可以去掉吗？为什么不是Cu和Cu的直接相同连接呢？底部有这层barrier layer不会增大电阻率吗？小虫子对集成电路这块还是外行，所提的问题如果太白，各位见笑了，尽情喷吧，虚心接受，请各位赐教，在此谢过各位大侠了。

关于集成电路芯片barrier layer的探讨
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路漫漫其修远兮。
1楼 2015-03-29 09:00:05
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
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May-wm: 金币+5 2015-04-01 08:17:28
barrier的目的是为了隔离Cu和其他材料之间的扩散。
Cu是非常容易向其他材料扩散的，如果不加隔离，会导致器件中各处都扩散有铜离子，会导致器件有重金属沾污，也会导致钝化层的可靠性下降。
因此在长Cu之前，要先溅射一层导电的隔离层。Cu长好之后，Cu和Cu连接的地方的隔离层就没办法去掉了，所以就留在了结构中。因为也是很好的导体，和Cu的兼容性好，接触电阻小，又非常薄，所以对整体阻抗没有大的影响。
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2楼2015-03-31 16:19:30
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May-wm

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2015-03-31 16:19:30
barrier的目的是为了隔离Cu和其他材料之间的扩散。
Cu是非常容易向其他材料扩散的，如果不加隔离，会导致器件中各处都扩散有铜离子，会导致器件有重金属沾污，也会导致钝化层的可靠性下降。
因此在长Cu之前，要先 ...

谢谢也看到有相关文献说这底部的阻挡层能提高抗电迁移性，因为电迁移非常易产生空洞，所以即使产生空洞，电流仍能通过这底部的阻挡层从而延长其抗电迁移性。
关于集成电路芯片barrier layer的探讨-1
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关于集成电路芯片barrier layer的探讨-2
7LKVF0ORU5%9WG33DEBHUIK.png
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路漫漫其修远兮。
3楼2015-04-01 08:16:56
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by May-wm at 2015-04-01 08:16:56
谢谢也看到有相关文献说这底部的阻挡层能提高抗电迁移性，因为电迁移非常易产生空洞，所以即使产生空洞，电流仍能通过这底部的阻挡层从而延长其抗电迁移性。

[VF3%2$U%3AFMW@ZU`N7`@2.png

7LKVF0ORU5%9WG3 ...

CMP以后确实有可能出现洼陷，容易形成Void。
你看图上那个leakage，如果没有barrier，那个leakage会成什么样就没法想象了。
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4楼2015-04-02 12:14:24
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gltsycw
5楼2015-04-02 12:47:02
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