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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 请教缺陷问题，如何定义缺陷（杂质）的化合价？
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wangzj

金虫 (小有名气)

[交流] 请教缺陷问题，如何定义缺陷（杂质）的化合价？

在计算缺陷问题时，如何定义杂质的化合价？

如ZnO的本征缺陷， 有6种： O　Ｚn　缺陷，　Ｏ　Ｚn　填　隙，氧代Ｚn　和Ｚn代氧。

　后面四种情况，如何定义Ｏ　或Ｚn的化合价？　在　ＩＮＣＡＲ还是POSCAR中？

如果不定义的话，会如何？　

另外，结构优化时有什么特殊的设置吗？ 我在做结构优化时发现很得优化或很慢。谁有现成的INCAR 做个参考？请大家指教及讨论！

我的 INCAR　中一般　这样设的：


    PREC = A
  IBRION = 2
    ISIF = 3
     NSW = 100
    NELM = 60
  NELMIN = 6
   EDIFF = 1.0e-06
  EDIFFG = -0.01
   ENCUT = 500.000
VOSKOWN = 1
  NBLOCK = 1
   ISPIN = 1
  INIWAV = 1
  ISTART = 0
  ICHARG = 2
   LWAVE = .FALSE.
  LCHARG = .TRUE.
  ISMEAR = 0
   SIGMA = 0.05
#   LORBIT = 12
    ALGO = F
   LREAL = AUTO

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 21:38 ]
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1楼 2008-06-20 17:05:55
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cuihang

铁杆木虫 (正式写手)

VASPer
★
lei0736(金币+1,VIP+0):谢谢
prec设低一点吧
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聪明人知道自己是傻子，傻子以为自己是聪明人
2楼2008-06-20 17:10:41
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cuihang

铁杆木虫 (正式写手)

VASPer
还有我觉得很奇怪，VASP有设置化合价的吗？
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聪明人知道自己是傻子，傻子以为自己是聪明人
3楼2008-06-20 17:16:54
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
spur(金币+2,VIP+0):3Q!感谢帮助！
PHYSICAL REVIEW B 77, 245202 (2008)
Defect energetics in ZnO: A hybrid Hartree-Fock density functional study
Fumiyasu Oba,* Atsushi Togo, and Isao Tanaka
Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan
Joachim Paier and Georg Kresse
Faculty of Physics, University of Vienna and Center for Computational Materials Science, A-1090 Wien, Austria
Received 1 April 2008; published 9 June 2008
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4楼2008-06-21 12:07:32
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spur

金虫 (正式写手)
★ ★
lei0736(金币+2,VIP+0):谢谢
如果是在优化过的ZnO基础上进行掺杂的话，可以考虑ISIF＝2，另外，EDIFF可以适当低一点，密度泛函计算的精度达不到这么高，没必要。设置1.0e-04已经足够了。
至于体系是否设置为带电体系取决于你自己，可以引入带电离子，也可以引入电中性的原子。具体设置vasp手册上有。
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5楼2008-06-21 14:13:04
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wangzj

金虫 (小有名气)

设置 价位后如何优化？

多谢大家的讨论！

在VASＰ中，NELECT = n 设置 总电子 数，因此，要想得到 Zn2+ 或 O2- 是不是意味着 要 在INCAR中设置 NELECT=n-2 或n+2 ？
在结构优化时，在优化的 纯ZnO 结构基础上 进行优化，此时 ISIF 应为多少 ？

ISIF =2 还是 3？

多谢指教
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6楼2008-07-07 15:09:31
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liluyan

银虫 (正式写手)
我也想知道离子化合价怎么设置,因为不同的化合价对性能可能会有影响,很多文献都说不同的化合价对磁性的影响,但是不知道具体是怎么设置的,如果是直接设成n-2或其它的,但是不知道这个化合价是哪个原子的,应该是对各个原子的平均,但是只是想设置其中某个原子的.请指导!
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7楼2008-12-18 16:37:27
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stractor

金虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by cuihang at 2008-6-20 17:16:
还有我觉得很奇怪，VASP有设置化合价的吗？

我看到用VASP计算缺陷的文献,确实考虑了一个带电荷的空位,但我不知道怎么让一个空位带电。手册上有NELECT这个关键字，比如映入一个带一价负电的缺陷，我是设置NELECT=n+1,那么这多的一个电荷是平均到整个晶胞里面是吗？有没有办法让具体的某个原子带电？

[ Last edited by stractor on 2009-4-11 at 17:38 ]
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8楼2008-12-22 22:22:51
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ztwang

铜虫 (小有名气)
★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):鼓励讨论
引用回帖:
Originally posted by wangzj at 2008-7-7 15:09:
多谢大家的讨论！

在VASＰ中，NELECT = n 设置 总电子 数，因此，要想得到 Zn2+ 或 O2- 是不是意味着 要 在INCAR中设置 NELECT=n-2 或n+2 ？
在结构优化时，在优化的 纯ZnO 结构基础上 进行优化，此时 ISIF 应 ...

NELECT 设置 可行的。在优化的 纯ZnO 结构基础上 进行优化，此时 ISIF＝3是可以的。还请高手指正。
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9楼2008-12-23 10:47:03
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