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小木虫论坛-学术科研互动平台» 网络生活区» 有奖问答 » 有奖问答中转子版 » 求使SiO2表面产生很多羟基的办法　（至７月３０日）
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surwait

铜虫 (小有名气)

[交流] 求使SiO2表面产生很多羟基的办法　（至７月３０日）

　我制出了比较多的SｉC，现在已经氧化让其表面生成了SiO2,但是SiO2表面羟基的数量比较少，想知道有没有好的办法可以使SiO2表面产生很多羟基．
　希望高手指点！
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1楼 2008-06-16 19:45:30
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gaodaming2000

金虫 (小有名气)
用TEOS在碱性条件下水解使其包覆在碳化硅的表面就可以了
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7楼2008-06-17 10:05:23
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bosshit

木虫 (小有名气)
★ ★ ★
surwait(金币+3,VIP+0):谢谢了，我实验室没有等离子体的条件！
可以用氧等离子刻蚀。
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2楼2008-06-16 20:44:55
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lxtxgn

铁杆木虫 (正式写手)
★ ★ ★
surwait(金币+1,VIP+0):谢谢了，我实验室没有等离子体的条件！
surwait(金币+2,VIP+0):谢谢了，我实验室没有等离子体的条件！
氧等离子刻

再者，如果是SiO2 的话 它的表面本身就要吸附水分子 因此就是带有羟基的

LZ 是不是再看看是不是表面并非全部形成了 SiO2 啊
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3楼2008-06-16 22:06:51
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zhanglizhi

银虫 (正式写手)
直接用NaOH稀溶液
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4楼2008-06-16 23:25:20
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