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请问硅的载流子浓度和光强有什么关系 已有2人参与
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问题是这样的：一个厚度为几微米，尺寸也在微米量级的半导体硅，如果入射光的光子能量大于禁带能量，不考虑频率、温度对光生载流子的影响，那么请问硅中光生载流子浓度和入射光光强的关系，能否给个大致的函数关系画个图呢？ 问题本身可能不太专业，各位如果看懂了说一说你的看法，谢谢了。 |
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| 你的假设把一些重要的问题给直接忽略掉了，硅对能量大于禁带宽度的光子的吸收性质是不一样，波长越短，光的贯穿深度越浅，反射越强。波长越长，吸收深度越深。你看一下硅的吸收系数的图像就知道了！你的问题还不如改成：hv>Eg的单色光（比如800nm的光）的光强和光生载流子的关系呢。那就是一个量子效率的问题，目前一个太阳照度下一般都认为是1吧，聚光之后可能会发生多激子激发，不太确定。可能和电池结构啊，硅的尺度这些都有关系，但是就算能激发多个电子空穴对，数量上还是很少的。目前sunpower的7倍聚光也不过把效率从非聚光的24%左右提升到30%左右，个人感觉性价比不行！ |
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3楼2015-02-20 20:29:48
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