应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 阻变存储器问题求助
51/1返回列表
查看: 623  |  回复: 2
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

shaguabendan

新虫 (初入文坛)

[求助] 阻变存储器问题求助 已有2人参与

阻变存储器件，三明治结构，电极是活性电极Ag，另一个电极是Pt，Ag导电细丝导电，想问电极的面积不同，器件的高阻和低阻怎么变化，Iset怎么变？Vset呢？电极是微米量级。
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
wakaka
1楼 2015-02-16 21:35:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

样童鞋2

银虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

我觉的变化不大，我之前在同一块薄膜上镀过不同大小的电极，测得结果差不多。
赞一下 回复此楼
fighting
3楼2015-08-27 14:56:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 3 个回答

jeremyfrc

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

电极越大，电阻越小，这是根据电阻公式来算的。
Iset按理应该可以不变或者变大，Vset应该不变。
赞一下 回复此楼
哈哈哈哈，来吧
2楼2015-02-20 14:14:09
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 3 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭