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aylayl08

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至尊天蝎

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[交流] 【讨论】无序掺杂晶体的CASTEP计算设置及讨论

     刚刚做了几组无序掺杂的晶体模型设置,发现无法用Occupancy来实现同一位置不同元素混合分布的要求。因为Occupancy只是对于不同位置具体存在的元素有用。
   所以做无序掺杂还只能用Composition。具体操作是:应该先按照未掺杂的情况来建立3D模型,之后选择所有要掺杂的元素:Edit-------Atom Selection--------选择元素,勾选Add to the existing selection,点Selection。全部选上。
调出Properties对话框,View-------Explores---------Properties Explores.在Composition上双击,再点Edit….,将未掺杂元素的Composition修改成所要的组分百分比,之后再Add,选择掺杂元素,设置百分比,OK即可。
   这样的处理,感觉就是原来的原子都不动,只是你掺杂的位置成分多了,而且在计算时,掺杂的位置仍然是按照一个原子来对待,并不区分到底是哪一种元素,也就是无序了。
  但遗憾的是在计算设置时,无法再选择Population analysis,因为
一Cannot run CASTEP for the given scope (disordered crystal). The following features are not supported::Population analysis。而且别的性能也有很多不可以计算。对于自旋设置也有问题,大家不妨试试。
   因此在后续分析的时候没有population分析就显得苍白了,而且单个原子的分析也很难了,就因为无法分开掺杂位的相异原子。
   以上只是自己初步的讨论,难免有不对的地方,献丑了,望大家多多指正、补充。


[ Last edited by aylayl08 on 2008-6-11 at 17:29 ]
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珍惜拥有,快乐人生!欢迎光临计算模拟区(*^__^*)。。。。。。。。。。。。。。
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acridine

木虫 (正式写手)

★ ★
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引用回帖:
Originally posted by hopingzmn at 2008-6-12 10:13:
下面是曾经看到过的,感觉值得探讨,贴出来:


就如同楼主所说,方法1应该是更合理的,而方法2可以清楚的分辨各个原子,可以更方便地分析不同位置掺杂对体系性能的影响,这估计是supercell掺杂这种方法更“流 ...

两种都挺常用吧
第一种是virtual crystal method(翻译为"虚晶近似"?),第二种是Supercell method
前一种计算过程中.赝势是按照原子比例权重计算得,比如"CxN1-x"原子就是按照x比例混合C和N的原子赝势;第二种就是直接取代原子了
因此单纯从电子结构的计算精度看,第二种肯定是更准确的,但第二种改变原子配比的可能性比较小,如要考虑更多的掺杂比例需要很大的超胞,这个计算量是很大的.当然,在合金以及精度要求不是很高的情况下,第一种方法也可以得到较好结果.
可以参考一篇理论高手M.L.Cohen的文章,同时使用了这两个方法研究力学性能 Nature, 399, 132
7楼2008-06-12 11:06:18
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acridine

木虫 (正式写手)

★ ★
spur(金币+2,VIP+0):3Q!感谢参与!
这个近似我这里用的不多,不过找类似的文献应该有一些吧.
Cohen的文章中这这么说明的:对比了相同原子配比下两种方法的计算结果,发现得到的趋势是相同的,因此使用virtual crystal method得到的结果是可靠的.也就是说用两种方法相互验证了一下.
9楼2008-06-12 11:41:03
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