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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 体相和表面做应变
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)

[求助] 体相和表面做应变 已有1人参与

想请问大家，用vasp计算分别计算体相和表面情况的单轴和双轴应变的时候的方法是一样的吗？
我的想法是直接改变晶格常数不就行了，无论体相还是表面，如果是单轴的就改变一个方向的晶格常数，双轴的同时改变两个方向的晶格常数，然后优化。ISIF是怎么取的？体相取3？表面取2？
可是我在查一些资料的时候看到大家说的什么拉伸哪个方向就固定该方向不优化之类之类的。表示不懂，有做过应力应变的大神们可否来解答一下。
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应变

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1楼 2015-01-31 15:31:34
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
菲顶顶: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-02-01 14:08:19
引用回帖:
3楼: Originally posted by 菲顶顶 at 2015-01-31 22:24:26
这样确实可以的，我先试试，那ISIF到底该取什么呢，你的意思就是不优化直接计算自洽能量是吧。...

不用优化了，直接电子自洽计算。然后通过总能来确定。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2015-02-01 11:21:33
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
菲顶顶: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-01-31 22:24:33
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2015-02-01 09:49:00
“ISIF是怎么取的？体相取3？表面取2？”
不能直接取3和2，那样弛豫后又回到平衡状态，应变消失。
听说有人改写了VASP弛豫的代码，可以实现你的要求。
还有一种方式就是EOS拟合，比如，我在xy平面施加双轴应变，让z方向逐渐改变一点晶格常数(一些列dz)，计算在该应变下，不同z的改变对于的体系总能，然后通过E~dz找到能量最低的.
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2楼2015-01-31 21:57:39
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2015-01-31 21:57:39
“ISIF是怎么取的？体相取3？表面取2？”
不能直接取3和2，那样弛豫后又回到平衡状态，应变消失。
听说有人改写了VASP弛豫的代码，可以实现你的要求。
还有一种方式就是EOS拟合，比如，我在xy平面施加双轴应变， ...

这样确实可以的，我先试试，那ISIF到底该取什么呢，你的意思就是不优化直接计算自洽能量是吧。
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3楼2015-01-31 22:24:26
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by stractor at 2015-02-01 11:21:33
不用优化了，直接电子自洽计算。然后通过总能来确定。
...

好的谢谢。
我还有个问题想和您讨论下。这种方法对双轴应变适用，那如果是单轴应变呢，需要只固定一个方向，优化另外两个方向，用这种方法，是同时改变另外两个方向的大小，这样就很难确定同时改变多少。

我自己想到一个方法就是可以通过固定POSCAR的xy坐标和优化z坐标，应该也是可以的吧。这样就可以同时优化多个方向，只是不知道可不可行。
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5楼2015-02-01 14:08:12
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