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关于恒电位沉积钯，求助各位大神 已有1人参与
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RT，在已镀镍的硅片上沉积钯，由于只有CHI604e，能选择的就只是恒电位沉积。电化小白，很多不懂，关于恒电位沉积的看了小木虫上很多说法，但是操作的时候还是出了问题，钯镀液较贵，不敢继续做了，求大神指点。钯镀液是买的，成分并不是非常清楚。 1、开路电位用两电极测的，工作电极和参比电极分别是镀镍硅片和饱和甘汞电极。测得开路电位-0.35。这样的操作不知道对不对。 2、恒电位沉积用的计时电流法，自己设置的参数如下： 初始电位：-0.35 高电位：-0.35 低电位：-0.6 Initial Step Polarity（这个我不知道具体应该翻译成什么）： 负 阶梯数：2 脉冲宽度：200 采样时间：0.01 quiet time：2 绿色工作电极头子夹了镀镍硅片，红色对电极的头子夹了钛网。 运行后，钛网侧有大量气泡，镀镍硅片处貌似也有气泡（这个不太确定），电流值在400mA，慢慢降到350mA左右。 工作1min左右，镀镍硅片上连接的铜线直接腐蚀断了（事先铜线和镀镍硅片用银浆粘好，再用环氧树脂包裹住了接触的部分），然后镍层好像溶解掉了很多。钛网上有黑色物质附着（难不成我把镍溶解镀到钛网上了？）。 求教：这个设置或者是电极夹头是不是错了，需要怎么改正。万分感谢各路大神不吝赐教，十万火急啊。 |
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