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《半导体物理学 (第七版)》刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，高清版附完整课后答案
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《半导体物理学(第7版)》：普通高等教育“十一五”国家级规划教材,电子科学与技术类专业精品教材。 目录 第1章 半导体中的电子状态 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.1.1 金刚石型结构和共价键 1.1.2 闪锌矿型结构和混合键 1.1.3 纤锌矿型结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 1.3 半导体中电子的运动有效质量 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 1.3.2 半导体中电子的平均速度 1.3.3 半导体中电子的加速度 1.3.4 有效质量的意义 1.4 本征半导体的导电机构空穴 1.5 回旋共振 1.5.1 k空间等能面 1.5.2 回旋共振 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅和锗的导带结构 1.6.2 硅和锗的价带结构 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 1.7.1 锑化铟的能带结构 1.7.2 砷化镓的能带结构 1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构 1.7.4 混合晶体的能带结构 1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 1.8.1 二元化合物的能带结构 1.8.2 混合晶体的能带结构 1.9 Si1-xGex合金的能带 1.10 宽禁带半导体材料 1.10.1 GaN、AlN的晶格结构和能带 1.10.2 SiC的晶格结构与能带 习题 参考资料 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.1 替位式杂质间隙式杂质 2.1.2 施主杂质、施主能级 2.1.3 受主杂质、受主能级 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 2.1.5 杂质的补偿作用 2.1.6 深能级杂质 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级 2.4.1 点缺陷 2.4.2 位错 习题 参考资料 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.1.1 空间中量子态的分布 3.1.2 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2.1 费米分布函数 3.2.2 玻耳兹曼分布函数 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 3.2.4 载流子浓度乘积noPo 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级上的电子和空穴 3.4.2 n型半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6 简并半导体 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 3.6.2 简并化条件 3.6.3 低温载流子冻析效应 3.6.4 禁带变窄效应 3.7 电子占据杂质能级的概率 3.7.1 电子占据杂质能级概率的讨论 3.7.2 求解统计分布函数 习题 …… 第4章 半导体的导电性 第5章 非平衡载流子 第6章 pn结 第7章 金属和半导体的接触 第8章 半导体表面与MIS结构 第9章 半导体异质结构 第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象 第11章 半导体的热电性质 第12章 半导体磁和压阻效应 第13章 非晶态半导体 附录 主要参数符号表 参考资料 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 《半导体物理学_(第七版)》刘恩科、朱、罗编著.pdf
- 附件 2 : 半导体物理学答案（完整版）（刘恩科）.pdf
2014-12-28 18:24:02, 44.18 M
2014-12-28 18:24:40, 364.04 K
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