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氮化硅和碳化硅性能对比
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摘录总汇，希望能够有用
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碳化硅;silicon carbide SiC分子式： http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=781748（推荐：看看这个网站，有你想要的） 下面是网上摘录的也比较有用： http://baike.eccn.com/eewiki/index.php/SiC 1. 碳化硅（SiC）材料的禁带宽度大(2.2eV～3.2eV)，临界击穿电场高（2V/cm～4×106V/cm），饱合速度快（2×107cm/s），热导率高为4.9W/（cm·K），抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是目前制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。http://baike.baidu.com/view/178051.html 2. 性质：俗名金刚砂。纯品为无色晶体。工业品因含杂质而呈暗黑色。密度3.06～3.20g/cm3。熔点2700℃左右。硬度仅次于金刚石，莫氏硬度约9。一般为无色细颗粒，结构与金刚石相似。具有高硬度、高化学惰性、高热稳定性和半导体性。 SiC 具有很多优点,如带隙宽, 热导率高, 电子饱和漂移速率大, 化学稳定性好等, 非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。利用其特有的禁带宽度(2. 3～3. 3 eV) , 还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。与其他化合物半导体材料如GaN , AlN 等相比, SiC 的独特性质是可以形成自然氧化层SiO2。http://www.souku.com.cn/viewtitle.jsp?url=63532375 Si3N4：这是我搜集的（包含SiO2） http://www.siliconfareast.com/sio2si3n4.htm 还有刚搜到的：http://www.virginiasemi.com/pdf/generalproperties%20Si62002.DOC Properties of SiO2 and Si3N4 at 300K Dielectric layers are just as indispensable to integrated circuit fabrication as the semiconductor itself and interconnecting metallization. Dielectric layers are used primarily to isolate active circuits from each other and to provide mechanical and chemical protection to the device itself. Dielectric layers are also widely used in the fabrication of components essential to circuit functionality such as capacitors and MOS transistors. Lastly, dielectric layers are also used as masking materials during wafer fabrication itself. Two dielectric workhorses in device fabrication are the silicon dioxide (SiO2) and the silicon nitride (Si3N4). Aside from being used for masking purposes, the former is extensively used in electrical isolation and as capacitor dielectric and MOS gate oxide while the latter is widely used as the final glassivation layer of the die. The properties of SiO2 and Si3N4 at 300 deg K are presented in Table 1. Table 1. Properties of Silicon Dioxide (SiO2) and Silicon Nitride (Si3N4) at 300K Properties SiO2 Si3N4 Structure Amorphous Amorphous Melting Point (deg C) approx. 1600 --- Density (g/cm3) 2.2 3.1 Refractive Index 1.46 2.05 Dielectric Constant 3.9 7.5 Dielectric Strength (V/cm) 107 107 Infrared Absorption Band (µm) 9.3 11.5 - 12.0 Energy Gap at 300K (eV) 9 approx. 5.0 Linear Coefficient of Thermal Expansion, ΔL/L/ΔT (1/deg C) 5 x 10-7 --- Thermal Conductivity at 300 K (W/cm-degK) 0.014 --- DC Resistivity at 25 C (ohm-cm) 1014 - 1016 approx. 1014 DC Resistivity at 500C (ohm-cm) --- 2 x 1013 Etch Rate in Buffered HF (angstroms/min) 1000 5 - 10 |
2楼2008-05-25 09:33:16