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日开发出波长为325～350nm的深紫外LED
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同和电子（DOWA Electronics）宣布，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短，“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”（同和电子）。 采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层模板，并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心（Palo Alto Research Center）引进的紫外LED外延生长技术。同和电子具有制造高品质AIN模板的技术，该公司介绍说，用AIN模板作为缓冲层，可有效降低促使结晶生长的氮化镓（GaN）材料的变形。 目前，该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验。力争2008年度内开始样品供货。 日经BP社http://www.nikkeibp.com.cn/china/news/elec/elec200805200123.html |
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