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【求助】关于自旋FET的必要条件
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在下是学有机化学出身。所以如有不专业的描述请各位大侠见谅。 我了解过一些有机FET的知识。看到有关自旋FET的工作，很感兴趣。 想在FET的基础上设计一些自旋FET的体系。 问：1。将FET转化为自旋FET是否只需要将S/D电极改为铁磁性电极？ 2。自旋FET中双电层表面的二维电子气中是否有必要具有稳定的成单电子？ 3。自旋FET中GATE电压的作用是否仅仅是在双电层表面形成二维电子气？ 4。S/D电极间的材料是否需要像TMR中那样采用绝缘层？如不是，电子迁移率是否 是评价自旋FET性能的一个参数，类似于一般的FET？ 哪位大侠如果有比较通俗的简介或综述（比较适于外行的），还请不吝赐教！ 谢谢！ |
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musi429(金币+3,VIP+0):多谢交流,欢迎常来物理版~~
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1. S/D电极改为铁磁性电极， 需要考虑自旋注入效率，现在的好像都比较低 自旋FET 当然要考虑自旋的输运，需要大量注入相同极化的自旋。所以源漏的选择要选注入效率高的铁磁材料。 2。不是很清楚 3. 对于Datta自旋晶体管，门电压的作用在于改变自旋输运过程中的自旋方向，自旋反转或者不反转对应于关和开的状态。 具体细节不是很清楚，有一个中文的简单介绍，我觉得还算清楚，也比较简单。 可以看看下面连接： http://www.namipan.com/d/%E8%87% ... de346541535ef6d0800 |
2楼2008-05-20 09:20:35
