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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » II-VI族半导体的p-/n-型掺杂容易实现吗？
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lzn_t

木虫 (小有名气)

[求助] II-VI族半导体的p-/n-型掺杂容易实现吗？ 已有2人参与

近期在阅读文献时，在一篇文献(H. Hono, Science 281 (1998) 951)中看到这样一句话：
II-VI-based DMSs have been different to dope to create p- and n-type, which made the material less attractive for application.

由于文献是十多年前的，所以我的问题是：II-VI族半导体如CdTe，现在依然难以掺杂使其成为p/n型半导体吗？
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1楼 2014-12-03 09:19:57
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sworderss

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

CD,Te是可以离子注入掺杂到半导体里的，但是因为他是2价和6价元素，即使是掺杂完成，也不能形成P/N型半导体，P/N型的是3价和5价的元素的。
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2楼2015-04-20 15:54:29
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sunzp1909

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

我们组是做二六族半导体的，主做氧化锌，目前似乎还没有稳定高质量的P型氧化锌出现……目前可以做到稳定的P型，但电阻过高无法应用到器件上。一般做器件的都是用一些其他方法代替P型ZnO了……
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3楼2015-09-10 17:01:09
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