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[交流]
【求助】关于GaN（0001）极性表面的H封闭问题
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各位好！ 想问大家有没有计算过GaN或者GaAs等极性表面，如GaN（0001）表面。为了使平板底层保持体相特性，很多国外文献都采用带0.75e的pseudo Hydrogen来封闭底层的N原子。对于这样一个封闭子，具有0.75个质子和0.75个电子，本身呈电中性。 在VASP中，怎样来构建这样的带0.75e的pseudo Hydrogen，是在POTCAR中改参数吗？如不是，怎样实现？ 最近偶的一篇JPCC文章就因为这一问题一改再改，审稿人说只要解决这一问题就可发表。急啊。 望大侠们给偶指点迷津！ 谢谢了！ [ Last edited by zzgyb on 2008-5-20 at 17:01 ] |
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