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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 请问怎么用VASP对二维结构进行加压呢 新人不知道如何入手 求助求助
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骆驼忍着

铜虫 (小有名气)

[求助] 请问怎么用VASP对二维结构进行加压呢 新人不知道如何入手 求助求助 已有2人参与

最近看了一篇PRB文献，对单层黑磷加单轴应变，不过用的是ABINT 我呢想用VASP模拟一下  但在网上找到的都是三维结构的计算方法  不知对二维结构要怎么做呢  求具体操作步骤
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    • 2014-11-30 15:19:18, 2.67 M

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1楼 2014-11-30 15:19:20
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骆驼忍着

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by valenhou001 at 2014-12-01 18:51:00
"这个面内和面外都弛豫是怎么做的呢？"
如果MoS2层放在xy平面的话，上面的一句话意思就是原子的x, y, z坐标允许被优化。

" a对应的比如3%应变下的a'是（1+3%）a吗？"
是的。

"那 ...

恩 谢谢候老师
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5楼2014-12-01 19:01:42
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
franch: 金币+4, 谢谢回帖交流。。。 2014-11-30 16:40:01
简单的方法：
如果平面内晶格常数是a,b，法向方向上的晶格常数为c（带真空层）
施加应变可以通过改变晶格常数a, b的值来实现。
比如沿着a方向上的单轴应变，拉伸应变的话，将a增加，对每一个增加后的值a'，固定该值a'，优化晶格常数b的值以及原子坐标得出该单轴应变a'下的最优的b'值。对另一个a''值，重复优化晶格常数b的值以及原子坐标。
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2楼2014-11-30 15:41:00
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骆驼忍着

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by valenhou001 at 2014-11-30 15:41:00
简单的方法：
如果平面内晶格常数是a,b，法向方向上的晶格常数为c（带真空层）
施加应变可以通过改变晶格常数a, b的值来实现。
比如沿着a方向上的单轴应变，拉伸应变的话，将a增加，对每一个增加后的值a'，固定该 ...

候老师回复我的帖子，好激动。候老师，“The molybdenum and sulfur atoms are relaxed in the strained unit cell into the minimum potential energy configuration both in and out of the plane”  这个面内和面外都弛豫是怎么做的呢？ a对应的比如3%应变下的a'是（1+3%）a吗？那这种情况下我能求出弹性模量吗？侯老师，非常感谢您  我刚开始做这个，有太多的不懂了
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3楼2014-12-01 10:32:52
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 骆驼忍着 at 2014-12-01 11:32:52
候老师回复我的帖子，好激动。候老师，“The molybdenum and sulfur atoms are relaxed in the strained unit cell into the minimum potential energy configuration both in and out of the plane”  这个面内和 ...

"这个面内和面外都弛豫是怎么做的呢？"
如果MoS2层放在xy平面的话，上面的一句话意思就是原子的x, y, z坐标允许被优化。

" a对应的比如3%应变下的a'是（1+3%）a吗？"
是的。

"那这种情况下我能求出弹性模量吗？"
通过计算一系列的a'，比如(1-8%)a, (1-4%)a, (1-2%) a, a  (1+2%)a , (1+4%)a, (1+8%)a等等，然后通过拟合。总能对应变量的一元二次方程拟合。。
多看看文献。可以找到很多类似的文献，它们对计算的简单理论公式和步骤都写的很详细。
如这个帖子里提到的文献：
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8095223
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4楼2014-12-01 18:51:00
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