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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化学传感器 » 用CHI760c或者660c两种工作站如何做电沉积，如何做溶出伏安法？那个技术是电沉积？
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flyingtech

木虫 (正式写手)

[求助] 用CHI760c或者660c两种工作站如何做电沉积，如何做溶出伏安法？那个技术是电沉积？ 已有1人参与

在CHI760c工作站的方法中没有找到溶出法这个选项啊。只有一个溶出分析，试过了感觉不是，没有电沉积时间。
另外那位知道在这个工作站中如何实现电沉积？该用哪个方法？
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History is written by the victors.
1楼 2014-11-24 16:13:47
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flyingtech

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by duan0718 at 2014-11-25 10:59:37
在660c里面，溶出是一项附加条件，在control里面的最后一项。

明白了。在control里能进行设置。但是还是有些疑问。分别有Deposition Potential []Initia []Deposition 和Quiet Potential []Initia []Quiet
这两个该怎么设置。我看一开始都在Initia上面。这个是什么含义。
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History is written by the victors.
10楼2014-11-25 19:08:05
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wangyongyl

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
flyingtech: 金币+20, ★★★很有帮助, 我先来尝试一下看看有什么效果。 2014-11-25 12:01:09
电沉积一般用的是i-t曲线
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2楼2014-11-24 16:20:40
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flyingtech

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wangyongyl at 2014-11-24 16:20:40
电沉积一般用的是i-t曲线

i-t曲线？那里设置的电位和时间下一直扫就是和电沉积一样的操作？然后沉积完成之后，使用DPV方法测试。这样是否就达到了差分脉冲溶出伏安法的效果呢？
我就是迫切想知道这个。
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3楼2014-11-25 09:28:13
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wangyongyl

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by flyingtech at 2014-11-25 09:28:13
i-t曲线？那里设置的电位和时间下一直扫就是和电沉积一样的操作？然后沉积完成之后，使用DPV方法测试。这样是否就达到了差分脉冲溶出伏安法的效果呢？
我就是迫切想知道这个。...

电沉积是把材料固定在电极上，DPV是检测手段，具体出不出峰那就看你这材料对检测物的催化效果咋样了
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4楼2014-11-25 09:38:22
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