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rbfztju新虫 (初入文坛)
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帮忙求解一下GaN纳米线的掺杂和能带弯曲的关系，谢谢已有1人参与
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我是研究光催化的，看了一篇文献n型半导体的掺杂会引起GaN纳米线能带的向上弯曲，p型的掺杂会引起能带 的向下弯曲，我想问下为什么会引起能带弯曲，为什么向上或向下，谢谢 |
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2楼2014-11-08 11:08:09
rbfztju
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3楼2014-11-08 23:23:36
rbfztju
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4楼2014-11-09 09:54:45
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其实我也一知半解。。首先要理解一下费米能级的概念，费米能级可以理解为量子态是否被电子占据的分界线，它是描述电子能量的概念。能量高于费米能级的量子态基本是空的，能量低于费米能级的量子态基本上全部被电子所占据，看看固体物理里边有讲。 没有参杂的半导体也就是本征半导体是没有能带弯曲的，n型半导体是参杂了多价电子的原子形成的。比如磷原子掺杂在硅里，磷的价电子很容易迁移到导带上，这就使得硅的导带电子浓度增大，而导带就是半导体最外层的一个能带，如此一来它的费米能级就会提高（大于溶液化学势）。费米能级的提高导致半导体与溶液相界面两侧的电化学势差变大，在半导体内部就会发生我上次回答的那种情况。 而p型半导体是掺杂了少价电子原子，它会从价带上捕获一个电子从而产生空穴，这样在半导体内部空穴浓度远大于自由电子浓度。价带上电子浓度小，费米能级也就小（小于溶液化学势），所以要向溶液靠近，也就向上弯。 为什么是半导体向溶液靠近而不是溶液向半导体靠近？？这是因为溶液比电极的化学势大好多好多 |
5楼2014-11-09 11:51:13
6楼2014-11-09 11:54:28