| 查看: 1121 | 回复: 0 | ||
[求助]
做溶出伏安法的时候，CHI660E ，stripping mode怎么设置？
|
|
不理解quiet potential 选择initial E 还是 quiet E? 和 deposition poetential 需要设置成一样的值吗？ 比如我的depostion petential 是-1.2V，quite potential 应该设置多少？ |
回复此楼» 猜你喜欢
锂金属电池求助
已经有1人回复
-
石墨阴极电催化耦合臭氧：协同增效还是资源浪费？
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有78人回复
-
pH 对石墨催化极板反应选择性的影响：从自由基生成到副反应转向
已经有0人回复
-
D-S 充氢实验交流
已经有2人回复
-
申请27博士
已经有1人回复
-
压裂返排液现场水质快速检测：不用送检也能判断水质走向
已经有0人回复
-
硅碳负极交流学习
已经有0人回复
-
压裂返排液回用配液：不是处理达标再回用，是按配液要求控制指标
已经有0人回复
-
高级氧化技术怎么选：羟基自由基的"虚假繁荣"与工程现实
已经有0人回复
-
苏州国家实验室依托苏州大学，面向2027年秋季入学招收博士生
已经有0人回复
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
溶出伏安法搅拌问题求助
已经有6人回复
- 阳极溶出循环伏安法（ anodic stripping cyclic voltammetry）
已经有9人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人