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有关于有机场效电晶体量测效率曲线的问题 已有1人参与
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想请问各位有做场效电晶体的先进 我在做以结构为(Bottom Gate / Bottom Contact)量测p型有机半导体的元件时 常常测出来的ID-VD曲线总是像附图所示 ID 的电流会先是正方向然后才是正常的负方向的电流 并且随着闸极偏压越大一开始的正方向的电流也越大 推测很可能是闸极的偏压致使电子可能穿越了闸极氧化层并输往汲极端 不知道是否有先进也遇过同样的问题并如何解决这个现象的?  IDVD-Ptype.png |
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