应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 学术交流区 » 论文投稿 » 其他 » 从今年诺贝尔物理学奖看文章的影响因子
293/3返回列表上一页123
查看: 7676  |  回复: 28
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

croninszl

铁杆木虫 (职业作家)

★★★★★★★★★★★
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
没有完全的可比性。现在的3区文章，20-30年前有可能是顶级期刊。只是现在该期刊经营的太差，影响落下来了吧。
赞一下 回复此楼
21楼2014-10-16 15:56:37
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

绍敏郡主

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
20楼: Originally posted by foxerg at 2014-10-16 14:59:40
作为经常投稿Elsevier的人，Elsevier 的email我还是会当真的。
不过如果你是内行人的话，我是很希望有人能够找出他们真正的核心工作及发表的杂志。可惜真正参与讨论的内行人并不多。
比如，楼上1994年引用2千多次 ...

诺贝尔奖官网的文件：
“ It would take until 1986 before GaN with high crystal quality and good optical properties could be produced with the MOVPE technique [26]. The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations.”
“Shuji Nakamura at Nichia Chemical Corporation, a small chemical company in Japan, later developed a similar method where AlN was replaced with a thin layer of GaN grown at low temperature [28].”

26. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki & Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
28. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991); S. Nakamura, M. Senoh, & T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).
赞一下 回复此楼
22楼2014-10-16 16:54:02
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

huiminchlq
23楼2014-10-16 18:14:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

foxerg

木虫 (正式写手)
引用回帖:
22楼: Originally posted by 绍敏郡主 at 2014-10-16 16:54:02
诺贝尔奖官网的文件：
“ It would take until 1986 before GaN with high crystal quality and good optical properties could be produced with the MOVPE technique . The breakthrough was the result of a l ...

这是很好的回复。
不过我们不能断章取义，要引用完全。
“ ….[26], The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations. A thin layer (30 nm) of polycrystalline AlN was first nucleated on a substrate of sapphire at low temperature (500 °C) and then heated up to the growth temperature of GaN (1000 °C) . During the heating process, the layer develops a texture of small crystallites with a preferred orientation on which GaN can be grown. The density of dislocations of the growing GaN crystal is first high, but decreases rapidly after a few m growth. A high quality surface could be obtained, which was very important to grow thin multilayer structures in the following steps of the LED development. In this way, high quality device-grade GaN was obtained for the first time (see Fig. 2a [27]) .Shuji Nakamura at Nichia Chemical Corporation, a small chemical company in Japan, later developed a similar method where AlN was replaced with a thin layer of GaN grown at low temperature [28].”
注意 The breakthrough ... 最后对应是[27]结束。
27. K. Hiramatsu et al., J. Crystal Growth 115, 628 (1991).
所以至少说他们的核心发现在这上面应该是没有问题的。
赞一下 回复此楼
没有签名！
24楼2014-10-16 19:54:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

绍敏郡主

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
24楼: Originally posted by foxerg at 2014-10-16 19:54:27
这是很好的回复。
不过我们不能断章取义，要引用完全。
“ …., The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations. A thin layer (30 nm) of polycrystalline AlN was f ...

哦，我看Nakamura发在Science上的综述里介绍GaN制备方法取得突破的时候引的文献是26和28，所以我也没列27。

那篇综述里介绍了蓝光LED研发中的三个难点，制备方法是第一个。突破这三个难点的论文应该都算是这次诺奖的核心工作，不是只有某一篇论文。总共大概有十多篇。

我看了一下高质量GaN制备方法的那几篇文献（Akazaki），大概是这样的：86年的论文是制备方法的建立，89的论文是制备条件的进一步优化，91年的论文是机理的研究。
赞一下 回复此楼
25楼2014-10-16 21:22:13
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

suker521

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
好勇斗狠 盲目攀比 浮躁 急功近利 是我对国内科研的一点不成熟的看法

[ 发自小木虫客户端 ]
赞一下(1人) 回复此楼
26楼2014-10-16 21:40:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

上杉达也

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
早期的研究 （能拿诺奖）的基本都发在了专业期刊上~就如上面那些期刊（现在可能落后了）
估计以后的诺奖都会发布在各领域的顶级杂志上
赞一下 回复此楼
27楼2014-10-17 09:00:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

qiuyifa

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
热血沸腾的一把。
国人的大量的灌水SCI文章，没啥引用的。
赞一下 回复此楼
<a href="http://www.nanost.net/bbs/index.php?fromuid=176"><img src="http://www.nanost.net/bbs/images/default/logo1.gif" border="0"></a>
28楼2014-10-17 13:50:23
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zwj112

铁虫 (小有名气)
真真的哟
回复此楼
29楼2014-10-17 16:45:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 foxerg 的主题更新
293/3返回列表上一页123
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 一志愿哈工大，085400，320，求调剂 +3 gdlf9999 2026-03-24 3/150 2026-03-24 10:08 by 搏击518
[考研] 276求调剂。有半年电池和半年高分子实习经历 +9 材料学257求调剂 2026-03-23 10/500 2026-03-24 07:36 by wangy0907
[考研] 07化学280分求调剂 +4 722865 2026-03-23 4/200 2026-03-24 00:01 by chixmc
[考研] 求材料，环境专业调剂 +3 18567500178 2026-03-18 3/150 2026-03-23 23:50 by 热情沙漠
[考研] 291求调剂 +8 hhhhxn.. 2026-03-23 8/400 2026-03-23 23:15 by peike
[考研] 材料专硕找调剂 +3 哈哈哈吼吼吼哈 2026-03-23 3/150 2026-03-23 23:13 by peike
[考研] 化学308分求调剂 +3 你好明天你好 2026-03-23 3/150 2026-03-23 20:11 by macy2011
[考研] 291 求调剂 +4 化工2026届毕业� 2026-03-21 5/250 2026-03-23 16:46 by 化工2026届毕业�
[考研] 287求调剂 +8 晨昏线与星海 2026-03-19 9/450 2026-03-22 17:01 by i_cooler
[考研] 308求调剂 +3 墨墨漠 2026-03-21 3/150 2026-03-22 16:54 by i_cooler
[考研] 材料学硕333求调剂 +3 北道巷 2026-03-18 3/150 2026-03-21 18:17 by 学员8dgXkO
[考研] 材料 271求调剂 +5 展信悦_ 2026-03-21 5/250 2026-03-21 17:29 by 学员8dgXkO
[考研] 考研调剂求学校推荐 +3 伯乐29 2026-03-18 5/250 2026-03-20 22:59 by JourneyLucky
[考研] 一志愿吉林大学材料学硕321求调剂 +11 Ymlll 2026-03-18 15/750 2026-03-20 19:40 by 丁丁*
[考研] 求调剂 +3 @taotao 2026-03-20 3/150 2026-03-20 19:35 by JourneyLucky
[考研] 求调剂 +3 eation27 2026-03-20 3/150 2026-03-20 19:32 by JourneyLucky
[考研] 招收调剂硕士 +4 lidianxing 2026-03-19 12/600 2026-03-20 12:25 by lidianxing
[考研] 288求调剂，一志愿华南理工大学071005 +5 ioodiiij 2026-03-17 5/250 2026-03-19 18:22 by zcl123
[考研] 085600材料与化工求调剂 +6 绪幸与子 2026-03-17 6/300 2026-03-19 13:27 by houyaoxu
[考研] 材料考研调剂 +3 xwt。 2026-03-19 3/150 2026-03-19 11:22 by w沐阳w
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭