从今年诺贝尔物理学奖看文章的影响因子 - 论文投稿 - 其他

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croninszl

铁杆木虫 (职业作家)

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没有完全的可比性。现在的3区文章，20-30年前有可能是顶级期刊。只是现在该期刊经营的太差，影响落下来了吧。

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21楼2014-10-16 15:56:37

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绍敏郡主

木虫 (著名写手)

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20楼: Originally posted by foxerg at 2014-10-16 14:59:40
作为经常投稿Elsevier的人，Elsevier 的email我还是会当真的。
不过如果你是内行人的话，我是很希望有人能够找出他们真正的核心工作及发表的杂志。可惜真正参与讨论的内行人并不多。
比如，楼上1994年引用2千多次 ...

诺贝尔奖官网的文件：
“ It would take until 1986 before GaN with high crystal quality and good optical properties could be produced with the MOVPE technique [26]. The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations.”
“Shuji Nakamura at Nichia Chemical Corporation, a small chemical company in Japan, later developed a similar method where AlN was replaced with a thin layer of GaN grown at low temperature [28].”

26. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki & Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
28. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991); S. Nakamura, M. Senoh, & T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).

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22楼2014-10-16 16:54:02

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huiminchlq

23楼2014-10-16 18:14:10

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foxerg

木虫 (正式写手)

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22楼: Originally posted by 绍敏郡主 at 2014-10-16 16:54:02
诺贝尔奖官网的文件：
“ It would take until 1986 before GaN with high crystal quality and good optical properties could be produced with the MOVPE technique . The breakthrough was the result of a l ...

这是很好的回复。
不过我们不能断章取义，要引用完全。
“ ….[26], The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations. A thin layer (30 nm) of polycrystalline AlN was first nucleated on a substrate of sapphire at low temperature (500 °C) and then heated up to the growth temperature of GaN (1000 °C) . During the heating process, the layer develops a texture of small crystallites with a preferred orientation on which GaN can be grown. The density of dislocations of the growing GaN crystal is first high, but decreases rapidly after a few m growth. A high quality surface could be obtained, which was very important to grow thin multilayer structures in the following steps of the LED development. In this way, high quality device-grade GaN was obtained for the first time (see Fig. 2a [27]) .Shuji Nakamura at Nichia Chemical Corporation, a small chemical company in Japan, later developed a similar method where AlN was replaced with a thin layer of GaN grown at low temperature [28].”
注意 The breakthrough ... 最后对应是[27]结束。
27. K. Hiramatsu et al., J. Crystal Growth 115, 628 (1991).
所以至少说他们的核心发现在这上面应该是没有问题的。

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没有签名！

24楼2014-10-16 19:54:27

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绍敏郡主

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引用回帖:

24楼: Originally posted by foxerg at 2014-10-16 19:54:27
这是很好的回复。
不过我们不能断章取义，要引用完全。
“ …., The breakthrough was the result of a long series of experiments and observations. A thin layer (30 nm) of polycrystalline AlN was f ...

哦，我看Nakamura发在Science上的综述里介绍GaN制备方法取得突破的时候引的文献是26和28，所以我也没列27。

那篇综述里介绍了蓝光LED研发中的三个难点，制备方法是第一个。突破这三个难点的论文应该都算是这次诺奖的核心工作，不是只有某一篇论文。总共大概有十多篇。

我看了一下高质量GaN制备方法的那几篇文献（Akazaki），大概是这样的：86年的论文是制备方法的建立，89的论文是制备条件的进一步优化，91年的论文是机理的研究。

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25楼2014-10-16 21:22:13

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