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[求助] 请教Fe3O4薄膜用于自旋电子学研究的问题

请问论坛有没有做四氧化三铁薄膜用于自旋电子学研究的达人?在下完全外行,由于感兴趣,这里想请教几个问题,还请指教为谢!如果问题太低级,请见谅,呵呵
1)一般要产生电子自旋,是不是只能用厚度较低的薄膜?以什么厚度以内为好?
2)外加磁场,方向是与薄膜平行还是垂直?
3)如果在掺杂n型硅片上长四氧化三铁薄膜,选哪种生长方向的硅片为好?100还是111
4)在薄膜上加电压,产生自旋电流时,如何连接电路?
5)外加电压的大小对自旋电流的电子自旋极化率有什么影响?以控制在多少伏电压或多大电流以内为好?

以上问题,盼各位高人们指教,非常感谢!
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