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zhaoziyan214

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10楼: Originally posted by recollect000 at 2014-09-14 10:00:32
我一般是根据以前的文献的经验值来判断是直接带隙还是间接带隙的，如果是直接的我N取1，间接就取4

那如果文献里面同一种物质同时存在直接带隙和间接带隙的解释，那我怎么去判断我的样品是直接带隙和间接带隙呢，因为我们根据计算结果如果构型不一样，同一种物质也会有直接带隙和间接带隙的区别

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11楼2014-09-14 10:04:05

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farfaraway08

铜虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
qixingzhen: 金币+1, 多谢回帖，欢迎常来交流~ 2014-09-15 08:24:46

固体物理方面的吧，看看能带结构图的导带底和价带顶的位置就可以区分。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。

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12楼2014-09-15 08:13:13

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recollect000

金虫 (小有名气)

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11楼: Originally posted by zhaoziyan214 at 2014-09-14 10:04:05
那如果文献里面同一种物质同时存在直接带隙和间接带隙的解释，那我怎么去判断我的样品是直接带隙和间接带隙呢，因为我们根据计算结果如果构型不一样，同一种物质也会有直接带隙和间接带隙的区别...

嗯，对的，确实有这个问题，这里我就无能为力，暂时我制备的材料还没遇到类似的问题

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让我欢喜让我忧，这样的生活，起起伏伏跌跌荡荡