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panzky

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[交流] 非自洽计算中smear和sigma参数设置的测试

vasp手册在非自洽计算的参数设置方面，对SMEAR和SIMGA如何取值基本没作明确说明（从vasp4.6至vasp5.3所更新的版本中均为提及），对于半导体或绝缘体，仅有有一句提示如下：
Mind: Avoid using ISMEAR>0 for semiconductors and insulators, since this often leads to incorrect results (The occupancies of some states might be larger or smaller than 1). For insulators use ISMEAR=0 or ISMEAR=-5.
由于在Vasp forum里也没找到类似的答案（最近论坛似乎改了网址，链接的时候出现了404错误提示），google上也未见讨论（不过，百度的时候倒是见到一句“能带结构计算，用默认值”，这句话在侯老师手册中也有过，也是一句），所以，就亲自做了一个测试，同大家一道分享和讨论，测试结果如下：

上面参数的结果直接放在能带图的底下，在用相关脚本计算带隙时，四个带隙都是间接带隙，且数值也都一样。只是在smear=0的时候，费米能级向下偏移了一些（这样也就更为接近价带顶的位置了）。因此
① 对于半导体或绝缘体，从表象上看，似乎非自洽计算对SMEAR和SIMGA如何取值没有限制，至少目前的测试是这样的；至于背后原因，希望高手出来分析。
② 对于金属，SMEAR和SIMGA如何取值，我这里并没有进行系统的测试，如果有正在做金属体系的能带的同学，不妨也做个测试，将结果整理在这里同大家一道分享，：）

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