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lfaitaoyao金虫 (著名写手)
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同步辐射技术在研究低维磁性材料方面取得新进展 已有1人参与
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近日，中国科学技术大学国家同步辐射实验室利用同步辐射X射线吸收谱学(XAFS)技术在研究低维磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。《美国化学会志》报道了他们的研究成果（J. Am. Chem. Soc., 2014, 136, 1150-1155；J. Am. Chem. Soc., 2014, 136, 10393-10398）。 稀磁半导体具有奇异的光、电和磁特性，在未来的量子计算机及自旋电子学器件中有着广泛应用前景，其磁性决定于磁性离子之间的磁相互作用，但磁性离子间固有的反铁磁相互作用往往抑制了其磁性可调性。针对这一科学难点问题，他们从理论上提出通过形成量子点核壳结构来抑制反铁磁相互作用，进而调控铁磁相互作用的方法。实验上，他们在5 nm直径的Co掺杂ZnO量子点外面包覆一层0.5 nm厚的半导体材料ZnS或Ag2S壳层以后，成功地将Co离子之间的反铁磁相互作用转变成铁磁相互作用。并利用同步辐射软、硬X射线吸收谱学技术等的一系列测量和理论分析，证实了包覆ZnS或Ag2S壳层引起的Co 3d 能级在ZnO带隙间位置的改变是导致量子点中磁性相互作用转变的原因。该研究成果发表于J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 1150-1155。 有效调控过渡金属氧化物的光电磁学性质将为下一代电磁学纳米器件提供材料基础。他们利用低温模板生长法得到了半晶胞厚度的a-Fe2O3纳米片材料，实现了反铁磁性-铁磁性相互作用的转变。该材料在100 K低温下具有0.6的高饱和磁矩，且铁磁性能延续到室温。通过同步辐射XAFS结合其它结构表征手段，揭示出这种磁相互作用转变是来源于纳米片表面结构弛豫带来的结构简并性的破坏。该研究成果发表于J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 10393-10398。 |
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ivansdk
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