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klxiaoyuer木虫 (正式写手)
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量子点敏化电池I-V曲线测试问题 已有1人参与
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最近封装了一个量子点敏化电池的简易材料，利用Keithley2400太阳能测试系统直接测定了电池的I-V曲线，可是测定的I值基本全为负值，而且为一直线，说明测定的为一电阻。请问各位大神，我出现这种情况的原因是什么，大家有没有遇到过这种情况，望各位同学们给出意见，万分感谢！ 8-3.jpg |
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【答案】应助回帖
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可以预测，在负偏压很高情况下，I-V曲线如一般曲线前段所示是水平的，此时相对应的是总的光产生电流；在常规电池来说，在偏压从负到正甚至在0.6V（如HIT电池）时，相关曲线一直保持水平状态；而在0.6-0.7V及其以后，曲线迅速随偏压增高而下降从而保持了良好的填充因子。这里需要说明的是随着偏压增加，其内建势垒削弱且体复合率增加。当体复合率完全等于产生率时，得到开路电压值。 在本图中，可以看到其开路电压近似在0.7V左右（偏压不低），而相应的产生电流则甚至在一定负偏压时都衰减很明显。像这种较平缓的曲线直接分析可以得到的是填充因子较低，相对应的是串联电阻值较高。如图所示是相关曲线随串联电阻的变化： 很抱歉我还没有学会在小木虫回复贴中上传图片。。。。。。概述一下就是串联电阻主要影响短路电流，对填充因子影响则是最明显的。当串联电阻较高时，得到的偏压在0到开路电压之间的线段近似为直线。串联电阻受影响因素很多，如栅极电阻、接触电阻等。 可以看到相关曲线近似成一直线，主要为串联电阻的影响。当然，像诸如掺杂浓度以及低的TCO功函数也会造成一定的病态曲线，但其填充因子的变化都伴随这开路电压的衰减；而少量体缺陷伴随着短路电流的衰减，而大量体缺陷伴随着短路电流、开路电压以及填充因子的明显衰减。所以，综合来看串联电阻高是主要因素。 |
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码农山泉2楼2014-09-03 09:26:49
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这个。。。一般来说应该是尽量减小栅线接触、接触电阻等等吧，这个一般都与相关的工艺有关系，一般都需要参照标准工艺去仔细分析每一步。 一些简单的链接：http://www.2ic.cn/html/59/t-356259.html http://muchong.com/html/201108/3500129.html http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10056-1013040747.htm 最后一篇在中国知网中，从简介看到它从多个渠道降低了相关电阻。 |
5楼2014-09-03 12:14:50
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