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[资源]
InGaN/GaN异质结增强GaN基LED发光效率
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FDTD Solutions，关于LED的仿真模拟文章，北京半导体所发表的 Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on freestanding GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals |
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2014-08-01 11:15:52, 3.32 M
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