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MS分子模拟和VASP计算分子吸附在催化剂模型的吸附能
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最近在计算喹啉分子在MoS2催化剂模型上的吸附能： 喹啉分子和MoS2模型是用MS建立的。 （1） 一般是计算物理吸附还是化学吸附？那物理吸附的话是不是不应该有键的断裂或连接。距离在0.2276nm以内的吸附如图1有键的断裂和连接（能量在-5ev左右），距离大于0.3nm的如图2没有见的断裂和连接（能量在-1ev左右），这两者中，哪一种吸附算存在呢？ (2) 把喹啉分子吸附在催化剂模型上，模型的下面两层是固定的，上面两层和喹啉分子式可以动的。那用VASP计算的过程中进行优化时，确定一个吸附位，优化后位置稍有改变，但改变不大，但喹啉分子与催化剂表面的距离是变化的，比初始离表面的距离要近。那优化的过程中，是只改变Z轴的距离吗，还是X Y Z都改变？那要是全局都改变的话，那设置一个吸附位，是不是就可以找到最低的优化位置呢？ （3）看一些文献，是计算被吸附分子与催化剂表面的不同距离下得吸附能，那是怎么样操作的呢？还有有的文献的吸附距离在1.536nm-5.597nm之间，有的文献是0.3nm-0.7nm 之间 （我的吸附能最大是在0.211nm左右，计算的能量值为-5.438573ev，如图1），这个不同距离的吸附能是怎么操作的呢？ 在这里谢谢大家！  图1.jpg |
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