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showtime0703

新虫 (初入文坛)

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专业: 化学反应工程

[求助] MS分子模拟和VASP计算分子吸附在催化剂模型的吸附能

最近在计算喹啉分子在MoS2催化剂模型上的吸附能：
喹啉分子和MoS2模型是用MS建立的。
（1）一般是计算物理吸附还是化学吸附？那物理吸附的话是不是不应该有键的断裂或连接。距离在0.2276nm以内的吸附如图1有键的断裂和连接（能量在-5ev左右），距离大于0.3nm的如图2没有见的断裂和连接（能量在-1ev左右），这两者中，哪一种吸附算存在呢？
(2) 把喹啉分子吸附在催化剂模型上，模型的下面两层是固定的，上面两层和喹啉分子式可以动的。那用VASP计算的过程中进行优化时，确定一个吸附位，优化后位置稍有改变，但改变不大，但喹啉分子与催化剂表面的距离是变化的，比初始离表面的距离要近。那优化的过程中，是只改变Z轴的距离吗，还是X Y Z都改变？那要是全局都改变的话，那设置一个吸附位，是不是就可以找到最低的优化位置呢？
（3）看一些文献，是计算被吸附分子与催化剂表面的不同距离下得吸附能，那是怎么样操作的呢？还有有的文献的吸附距离在1.536nm-5.597nm之间，有的文献是0.3nm-0.7nm 之间（我的吸附能最大是在0.211nm左右，计算的能量值为-5.438573ev，如图1），这个不同距离的吸附能是怎么操作的呢？
在这里谢谢大家！

图1.jpg

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1楼 2014-07-27 13:35:41

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葳小白

新虫 (初入文坛)

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虫号: 3285383
注册: 2014-06-21
专业: 金属结构材料

楼主，你好！我也在做二硫化钼的表面吸附，但是我才刚刚起步，我做的是单层的二硫化钼，但在晶格常数优化就出现了问题，晶格常数出现了能量反常增大，可能是什么原因呢？另外，有以下几个问题想问一下你
1、ISMEAR=0，ISPIN=1，IBRION=2，ISIF=4合适吗？
2、弛豫的时候所有原子所有方向都弛豫比较好，还是限制性弛豫比较好？

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2楼2014-11-26 16:28:08

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zh11111

银虫 (正式写手)

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虫号: 2656941
注册: 2013-09-15
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

请教楼主个问题：在最初你确定分子在表面最佳吸附位置的时候，是否是把喹啉分子的C，N,H原子分别放在Mo，S的顶，间，桥位，将所有情况都弛豫后得到能量最低的吸附位置吗？

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3楼2015-07-04 20:32:24

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