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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » [求助]InAs 带隙问题
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wcwang

铜虫 (初入文坛)

[交流] [求助]InAs 带隙问题

各位老师，本人现在在算InAs体材料，遇到一个问题，就是能隙算不准。试了VASP各种势，得到的带隙都是0eV.，现在试图用ABINiT GW 修正，也是算不准，LDA部分带隙很顽固的为0 eV,GW 修正几乎为0 eV.

各位老师谁有算过InAs的经验请指教。

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-21 at 20:22 ]
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1楼 2008-04-05 14:44:42
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
zzgyb(金币+2,VIP+0):谢谢你的参与，欢迎继续关注计算模拟版！
vasp一定算不出gap的。
+GW修正会得到合理的带息
PRB上有文章的。
ABINiT GW 修正应该可以计算准确的。
PW+Sax可以算出带隙了。
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2楼2008-04-05 16:09:10
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jghe

金虫 (著名写手)
★
zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的参与，欢迎继续关注计算模拟版！
VASP 只要你选好势，应该不会差的太离谱的，你仔细看看你的设置，SIGMA之类的又没有问题
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3楼2008-04-05 22:24:22
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
lei0736(金币+2,VIP+0):谢谢
Phys. Rev. B 66, 235111 (2002)
不好意思，记错了
这篇文章上计算得到0.192的带隙
不过是全电子做的。
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4楼2008-04-05 23:57:46
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)
嘿嘿，
可能是要考虑全电子计算的方法
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5楼2008-04-05 23:59:47
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chenweiguang

金虫 (小有名气)
★
zzgyb(金币+1,VIP+0):谢谢你的参与，欢迎继续关注计算模拟版！
很正常，使用LDA或GGA本来就低估带隙，对于有些窄带隙的材料，甚至计算出金属性质
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6楼2008-05-07 11:48:32
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