| 查看: 4608 | 回复: 10 | |||||
| 当前主题已经存档。 | |||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||
[交流]
【讨论】能带弯曲
|
|||||
|
希望各位虫友能讨论一下半导体异质结能带弯曲的问题,能带在什么情况下会发生弯曲?会出现何种弯曲?弯曲的幅度有没有定量的标准或测量方法? [ Last edited by lvzhu2007 on 2008-4-5 at 10:01 ] |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
荧光 | 半导体知识 |
» 猜你喜欢
2025年遐想
已经有4人回复
投稿Elsevier的杂志(返修),总是在选择OA和subscription界面被踢皮球
已经有8人回复
自然科学基金委宣布启动申请书“瘦身提质”行动
已经有4人回复
求个博导看看
已经有18人回复
forever
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 3203.2
- 散金: 25
- 帖子: 615
- 在线: 160小时
- 虫号: 108104
- 注册: 2005-11-18
- 性别: GG
- 专业: 光学
★ ★ ★ ★ ★
zt970831(金币+5,VIP+0):谢谢您的热心答复:)
zt970831(金币+5,VIP+0):谢谢您的热心答复:)
|
能带弯曲的主要原因是两个接触的半导体,其费米能级差不为零, 由于接触后,费米能级要在最终相等,所以高的费米能级下降低的上升,造成了能带弯曲,能带弯曲量,即内建电场范围由掺杂浓度决定,掺杂浓度大的一侧弯曲量小,小的一侧大。 弯曲量的大小可以由计算得出,你可以参考西安电子科大许长存老师的《半导体光电子技术》,或者其它方面的书籍,一般这方面的书都应该有的。 当掺杂浓度量相差两个数量级以上(两边空间电荷区宽度之比即两边掺杂浓度的反比),空间电荷区可认为只在低掺杂的一侧。宽度为 W=(2εVD/eNa)1/2,其中,ε为低掺杂一侧半导体的介电常数, VD =(Ef1-Ef2)/e, (Ef1-Ef2)为费米能级之差, Na为低掺杂一侧的掺杂浓度,e为一个电子的带电量。 如果具体计算,就可以找相关的书籍了,一般的半导体书都应该有的 |
9楼2008-04-15 15:11:12







回复此楼