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半导体塞贝克系数与载流子浓度有关系么？又具体的关系式么？还有本征激发和杂质电离两种情况下塞贝克和温度的变化关系是不是不一样？求大神详细解答，谢谢 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
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4楼2014-07-23 15:56:08
2楼2014-07-22 20:58:34
穿越千年
版主 (著名写手)
寂寞读书的小和尚
- FPI: 2
- 应助: 238 (大学生)
- 贵宾: 0.515
- 金币: 9996.1
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- 虫号: 1393528
- 注册: 2011-09-07
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
- 管辖: 功能材料
【答案】应助回帖
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上好佳搞学术(ivansdk代发): 金币+3 2014-10-18 08:07:19
上好佳搞学术(ivansdk代发): 金币+3 2014-10-18 08:07:19
| 半导体里面的每一个公式都是在很多的近似前提条件下得到的，对于一个特定的材料，对一些参数进行修正后也只能大致看出其变化趋势，没有严格的数量关系。这些公式在很多综述文献或者书本或者别人的硕博论文里都能找到，关键是要看是否适合分析你的材料。杂质电离占主导情况下的Seebeck与T的关系和本征激发以后Seebeck与T的关系是不一样的，在本征激发之前，载流子浓度随着温度基本不变化，少子的影响很少，Seebeck会随着温度的升高而增大；当温度到本征激发的时候，少数载流子开始发挥作用，多子和少子均会贡献Seebeck，但是两者符号相反，会使Seebeck系数快速降低。 |
3楼2014-07-23 08:28:07
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