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关于直接带隙和间接带隙计算的问题，小弟修改回复着急，请各位大神帮忙，不胜感激 已有1人参与
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这是审稿人的问题“The bandgap calculation is not correct. In the equation, the exponent n should be 2 for direct band gap transitions, not 0.5 (which is for indirect). ” 这是我文章中写的“(αhν)n=K (hν-Eg), where K is a constant, ..., and the value of the exponent n is 0.5 for direct transition semiconductor materials. ” 在这里我计算了ZnO单体的和Ag/ZnO复合材料的带隙能。但是审稿人的这个问题让我迷茫了，主要是我不懂ZnO和Ag/ZnO的带隙能应该按直接算还是间接算。请大神指条明路吧，这方面的知识实在是匮乏啊  图片3.jpg |
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4楼2014-07-04 12:40:55
2楼2014-07-03 23:18:36
xhtangxh
木虫 (著名写手)
有木有虫
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【答案】应助回帖
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dan520118: 金币+5, ★有帮助 2014-07-07 08:03:23
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dan520118: 金币+5, ★有帮助 2014-07-07 08:03:23
直接带隙和间接带隙的计算式是不同的，审稿人已经指出你用的公式错误，那就改过来呗。 具体怎么处理可以到这个帖子去看看： http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3166550&fpage=1&target=self&page=2 |
3楼2014-07-04 09:36:42
夏末七槿
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5楼2014-07-05 16:57:07
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