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S07111072铁杆木虫 (著名写手)
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[求助]
电荷转移
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| 大家好，我刚接触MS，向大家请教一个问题，比如以Si为基底，在其上面生长CdS纳米线，然后在用化学方法处理使其表面覆盖一层F4TCNQ(四氟四氰二甲基对苯醌)、MoO3、石墨烯量子点薄膜，接着处理表征，最后做成器件。我现在的问题是如何计算CdS层和其表面涂层（F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子点）之间的电荷转移？我的思路是用MS中的castep模块计算，即先构建CdS晶体结构并优化（在properties里勾选band structure、density of states、electron density difference）→优化F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子点→构造CdS(110)表面并弛豫CdS(110)表面（在properties里勾选bandstructure、density of states、electron density difference）→将F4TCNQ或MoO3或石墨烯量子点添加到1X1CdS(110)表面并优化此结构（在properties里勾选band structure、density of states、electron density difference）→构建和优化2X1 CdS(110)表面（在properties里勾选bandstructure、density of states、electron density difference）→能量分析、态密度分析、电荷密度分析。，不知这样的计算思路是否合理？请大家帮忙，谢谢！ |
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