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S07111072铁杆木虫 (著名写手)
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[求助]
电荷转移
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| 大家好,我刚接触MS,向大家请教一个问题,比如以Si为基底,在其上面生长CdS纳米线,然后在用化学方法处理使其表面覆盖一层F4TCNQ(四氟四氰二甲基对苯醌)、MoO3、石墨烯量子点薄膜,接着处理表征,最后做成器件。我现在的问题是如何计算CdS层和其表面涂层(F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子点)之间的电荷转移?我的思路是用MS中的castep模块计算,即先构建CdS晶体结构并优化(在properties里勾选band structure、density of states、electron density difference)→优化F4TCNQ、MoO3、石墨烯量子点→构造CdS(110)表面并弛豫CdS(110)表面(在properties里勾选bandstructure、density of states、electron density difference)→将F4TCNQ或MoO3或石墨烯量子点添加到1X1CdS(110)表面并优化此结构(在properties里勾选band structure、density of states、electron density difference)→构建和优化2X1 CdS(110)表面(在properties里勾选bandstructure、density of states、electron density difference)→能量分析、态密度分析、电荷密度分析。,不知这样的计算思路是否合理?请大家帮忙,谢谢! |
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