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电荷转移
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我在重复一篇计算的文章PRB 87-220503，计算在含氧空穴的SrTiO3(001)上生长的FeSe，看FeSe生长在有氧空穴的衬底上后，和单独的FeSe体系、单独的衬底体系相比，电荷转移的情况。得到的图像和文献不同。 文献得到的电荷转移图如图1(a)，TiO2层有电荷转移到FeSe的Fe原子层，而和衬底接触的Se原子层、衬底第二层SrO原子层只增加了少量的电荷。我得到的电荷转移，如图1(b)所示，在界面、在和STO接触的Se原子层、STO的第二层原子层SrO层有大量的电荷转移。此外，我也用bader analysis做了电荷转移的分析，也说明了和Fe相比，同衬底接触的Se原子层有更多的电荷转移。 我在计算电荷转移的时候，分别计算了含氧空穴FeSe/STO体系以及单层FeSe、单独的含氧空穴的STO衬底的电荷分布，然后用总体系的电荷分布文件CHGCAR减去单独的FeSe体系和单独的衬底的CHGCAR。 为什么会有这样的差别呢？可能是什么原因呢？ 附bader的分析过程： 赝势文件中表明各个原子的价电子数为:Fe-8，Se-6，Sr-10，Ti-12，O-6。bader软件得到，4个Fe原子的电荷数分别是： 7.3569 7.3929 7.4306 7.4302 而单独的FeSe原子层得到的Fe的电荷数分别是： 7.3697 7.3697 7.3679 7.3679 相比而言，生长在衬底上的Fe比单独的FeSe中的Fe增加了电荷：0.0677 e/Unit Cell。对Se做同样的分析，Se生长在衬底上后，增加了电荷：0.2891 e/Unit Cell。这样分析对吗？  1(a).png  1(b).png |
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 光学性质计算 |
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